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NR7 6000P光刻膠廠家歡迎來電,北京賽米萊德公司

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發(fā)布時間:2020-07-20 23:58  






光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上,布局不合理、不完整,特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資,而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前,整個產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強,前后兩端弱,核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。光刻膠:用化學(xué)反應(yīng)進行圖像轉(zhuǎn)移的媒介光刻膠具有光化學(xué)敏感性,其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝,可以將設(shè)計好的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項技術(shù)指標(biāo)都很重要,必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此,國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面,對中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進一步發(fā)展



NR9-1000py

問題回饋:

1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex

有幾款膠很,NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設(shè)計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。

2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?

A 美國光刻膠,F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。

3.你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品?

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點:比較好的解析度,比較好的線寬控制,

反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?

A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過HMCTS

silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5.厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上,用哪一種比較理想?

A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。

6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?

A 可以考慮使用Futurrex

,正型光阻PR1,負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7.請問,那位專家知道,RIE

Mask,用什么光阻比較好?

A 正型光阻用PR1系列,負(fù)型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。

8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?

A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。

9.在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?

A 建議不使用,因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?

A 有一種膠很適合,美國Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers



光刻膠

按感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中,采用不同單體可以形成正、負(fù)圖案,并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。

光聚合型光刻膠

烯類,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發(fā)單體聚合。

光分解型光刻膠

疊氮醌類化合物,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄浴?

光交聯(lián)型光刻膠

聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的雙鍵打開,鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。

按曝光波長,光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。

按應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。


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