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宿遷專業(yè)回收電容性價(jià)比出眾“本信息長(zhǎng)期有效”

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發(fā)布時(shí)間:2020-07-14 16:45  

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檢測(cè)方法/電子元器件

電解電容器的檢測(cè)

將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬間,萬(wàn)用表指針即向右偏轉(zhuǎn)較大偏度(對(duì)于同一電阻擋,容量越大,擺幅越大),接著逐漸向左回轉(zhuǎn),直到停在某一位置。此時(shí)的阻值便是電解電容的正向漏電阻,此值略大于反向漏電阻。實(shí)際使用經(jīng)驗(yàn)表明,電解電容的漏電阻一般應(yīng)在幾百kΩ以上,否則,將不能正常工作。人們對(duì)電子產(chǎn)品的BGA封裝功能要求越來(lái)越多、對(duì)性能要求越來(lái)越強(qiáng),而體積要求卻越來(lái)越小、重量要求越來(lái)越輕。在測(cè)試中,若正向、反向均無(wú)充電的現(xiàn)象,即表針不動(dòng),則說(shuō)明容量消失或內(nèi)部斷路;如果所測(cè)阻值很小或?yàn)榱?,說(shuō)明電容漏電大或已擊穿損壞,不能再使用。



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中周變壓器的檢測(cè)

A 將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1擋,按照中周變壓器的各繞組引腳排列規(guī)律,逐一檢查各繞組的通斷情況,進(jìn)而判斷其是否正常。

B 檢測(cè)絕緣性能 將萬(wàn)用表置于R×10k擋,做如下幾種狀態(tài)測(cè)試:

(1)初級(jí)繞組與次級(jí)繞組之間的電阻值;

(2)初級(jí)繞組與外殼之間的電阻值;

(3)次級(jí)繞組與外殼之間的電阻值。

上述測(cè)試結(jié)果分出現(xiàn)三種情況:

(1)阻值為無(wú)窮大:正常;

(2)阻值為零:有短路性故障;

(3)阻值小于無(wú)窮大,但大于零:有漏電性故障。



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BGA技術(shù)的研究始于60年代,早被美國(guó)IBM公司采用,但一直到90年代初,BGA 才真正進(jìn)入實(shí)用化的階段。

在80年代,人們對(duì)電子電路小型化和I/O引線數(shù)提出了更高的要求。雖然SMT使電路組裝具有輕、薄、短、小的特點(diǎn),對(duì)于具有高引線數(shù)的精細(xì)間距器件的引線間距以及引線共平面度也提出了更為嚴(yán)格的要求,但是由于受到加工精度、可生產(chǎn)性、成本和組裝工藝的制約,一般認(rèn)為QFP(Quad Flat Pack 方型扁平封裝)器件間距的極限為0.3mm,這就大大限制了高密度組裝的發(fā) 展。橫截面X射線檢測(cè)技術(shù)具有能夠查出隱藏的焊接點(diǎn)缺陷的能力,通過(guò)對(duì)焊盤層焊接點(diǎn)的聚焦,能夠揭示出BGA焊接點(diǎn)的連接情況。另外,由于精細(xì)間距QFP器件對(duì)組裝工藝要求嚴(yán)格,使其應(yīng)用受到了限制,為此美國(guó)一些公 司就把注意力放在開發(fā)和應(yīng)用比QFP器件更優(yōu)越的BGA器件上。


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