磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。所鍍的膜通?？梢韵?、散射、反射面、折射角、偏光等實(shí)際效果。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

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淺析磁控濺射鍍膜儀鍍膜優(yōu)勢

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我們知道每一種鍍膜方式的不同都有不一樣的差異，這處理根據(jù)鍍膜的方式不同之外，還跟所鍍的材料有關(guān)系，這種差別我們很難看出來，因?yàn)楦鶕?jù)目前的鍍膜行業(yè)中的一些gao端設(shè)備，比如說磁控濺射鍍膜儀，都是屬于比較精細(xì)的一種鍍膜機(jī)械。

那么在現(xiàn)今的發(fā)達(dá)科技中，磁控濺射鍍膜儀鍍膜有哪些優(yōu)勢呢？下面小編來深入的分析一下：

磁控濺射鍍膜設(shè)備所鍍的膜穩(wěn)定性好，這是因?yàn)槠淠げ粌H厚，而且所生成的時(shí)候非常穩(wěn)定，另外還根據(jù)濺射電流來控制。我們知道電流越大，這種設(shè)備的濺射率也就相對的變大，這也是磁控濺射鍍膜設(shè)備非常穩(wěn)定的一個(gè)因素。

另外采用磁控濺射鍍膜設(shè)備來生成膜層，不管鍍多少次膜，他所鍍出來的膜厚度基本上是一樣的，而且非常穩(wěn)定。

從上述淺析中，我們不難發(fā)現(xiàn)磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)勢，其實(shí)就是在于穩(wěn)定，這也是目前一些精細(xì)產(chǎn)品鍍膜選擇這種設(shè)備的原因。

我國真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

我國鍍膜機(jī)械，經(jīng)過了幾十年發(fā)展，形成了門類齊全、布局合理，品種配套，真空鍍膜技術(shù)水平與鍍膜工業(yè)發(fā)展基本適應(yīng)的體系，真空鍍膜設(shè)備已經(jīng)不能再叫新行業(yè)了，其是一個(gè)有創(chuàng)新能力的成熟行業(yè)，鍍膜技術(shù)從重污染轉(zhuǎn)為輕污染直至以后的無污染，創(chuàng)新是前提，隨著更新型節(jié)能環(huán)保的真空機(jī)械設(shè)備研發(fā)必將改變整個(gè)工業(yè)。這是因?yàn)榘校帢O），等離子體，和被濺零件/真空腔體可形成回路。

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磁控濺射

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等。

（3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī)

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