化學氣相沉積（Chemical Vapor Deition,簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術(shù)。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機工藝在平板顯現(xiàn)器中的運用一切各類平板顯現(xiàn)器都要用到各品種型的薄膜，并且簡直一切類型的平板顯現(xiàn)器材都需求運用ITO膜，以滿意通明電器的請求。能夠毫不夸張的說：沒有薄膜技能就沒有平板顯現(xiàn)器材。

金屬鈀及其合金具有很強的氫氣吸附能力和特殊的選擇滲透能力, 是理想的氫氣儲存和凈化材料 。目前, 通常使用整體鈀合金或鍍鈀等方法制造氫凈化設備。近年來 ,有研究者嘗試采用化學氣相沉積法制備鈀的薄膜或薄層材料 , 他們選用分解溫度很低的金屬有機化合物作為沉積鈀的源物質(zhì), 他們是:烯丙基[β-酮] Pd(Ⅱ)、Pd(η3 -C 3 H 5 )(η 5-C 5 H 5 )和 Pd(η3-C 3 H 5 )(CF 3 COCHCOCF 3 )等。采用化學氣相沉積法可以制備高純度的鈀薄膜 。

當考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標充當包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應器的中間位置更強。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力