選擇振蕩器時需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

為什么晶振尺寸越小,產(chǎn)品的靈活度越高

近年來，智能手機等移動設備、可穿戴式設備及IoT設備等使用智能的電子設備迅速普及。而且，為了提高產(chǎn)品的設計靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對較小的無源晶振封裝了。如今，智能產(chǎn)品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會縮短，這樣來，有個好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，從而提升它們的交換頻率。因為每個晶體管在切換電子信號的時候，所消耗的動態(tài)功耗會直接和電流容量相關，從而使得運行速度加快，能耗變小。明白了這一點，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，制程就越先進；元器件的尺寸越小，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，處理器的功耗反而越低的道理了。

差分晶振和壓控晶振

1、差分晶振

差分晶體振蕩器(DXO)是目前行業(yè)中公認高技術，高要求的一款晶體振蕩器，是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲。差分晶振一般為六腳貼片，輸出類型分為好幾種,LVDS,LV-PECL，具有低電平,低抖動，低功耗等特性。

2、壓控晶振

壓控晶體振蕩器(VCXO)是一種可通過調(diào)整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器，主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調(diào)。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變?nèi)荻O管及晶體參數(shù)兩者的組合，通常用于鎖相環(huán)路。

晶體振蕩器在當今社會的應用

（1）以滿足當今電子電路溫度都要在125℃以上的所有工業(yè)的要求；（2）石油服務行業(yè)；（3）燃氣渦輪機的控制；（4）測井，隨鉆測井；（5）工業(yè)控制；（6）航空航天應用。我公司提供解決方案，助力油田工程師將產(chǎn)品更快的推向市場，生產(chǎn)各類晶振產(chǎn)品，歡迎來電咨詢！