?數(shù)字IC是什么？

數(shù)字IC就是傳遞、加工、處理數(shù)字信號的IC，是近年來應用廣、發(fā)展快的IC品種，可分為通用數(shù)字IC和專用數(shù)字IC。

模擬IC則是處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC，模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬IC。如果按技術來分的話，模擬IC可分為只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數(shù)字信號的混合IC。

標準型模擬IC包括放大器，電壓調(diào)節(jié)與參考對比，信號界面，數(shù)據(jù)轉換，比較器等產(chǎn)品；特殊應用型模擬IC主要應用在通信、汽車、電腦周邊和消費類電子等四個領域。

簡單總結一下二者的區(qū)別：數(shù)字電路IC就是處理數(shù)字信號的器件，比如CPU、邏輯電路等；因為模擬IC通常要輸出高電壓或者大電流來驅動其他元件，而CMOS工藝的驅動能力很差。而模擬電路IC是處理和提供模擬信號的器件，比如運算放大器、線性穩(wěn)壓器、基準電壓源等，它們都屬于模擬IC。模擬IC處理的信號都具有連續(xù)性，可以轉換為正弦波研究，而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號，都是脈沖方波。

不同數(shù)字器件有不同的制程, 所以需要不同的供電電壓, 因此更需要電源管理這一模擬技術，隨著數(shù)字技術的發(fā)展, 模擬技術分布于數(shù)字技術周邊, 與數(shù)字技術密不可分。

IC產(chǎn)品的溫馨提示

提示：濕度總是困擾在電子系統(tǒng)背后的一個難題。不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中，還是在潮濕的區(qū)域中運輸，潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開支的原因。由于潮濕敏感性元件使用的增加，諸如薄的密間距元件(fine-pitch device)和球柵陣列(BGA, ballgrid array)使得對這個失效機制的關注也增加了。Filler的插入(padfliier,cellfiller)。基于此原因，電子制造商們必須為預防潛在災難支付高昂的開支。

吸收到內(nèi)部的潮氣是半導體封裝問題。當其固定到PCB 板上時，回流焊快速加熱將在內(nèi)部形成壓力。這種高速膨脹，取決于不同封裝結構材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）速率不同，可能產(chǎn)生封裝所不能承受的壓力。1、十進制十進制的每一位由0~9十個數(shù)碼表示，低位和相鄰高位之間的關系是“逢十進一”。當元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下，陷于塑料的表面貼裝元內(nèi)部的潮濕會產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。

常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。在一些極端的情況中，裂紋會延伸到元件的表面；嚴重的情況就是元件鼓脹和爆裂(叫做“爆米花”效益)。盡管現(xiàn)在，進行回流焊操作時，在180℃ ~200℃時少量的濕度是可以接受的。然而，在230℃ ~260℃的范圍中的無鉛工藝里，任何濕度的存在都能夠形成足夠導致破壞封裝的?。ū谆睿┗虿牧戏謱?。在做產(chǎn)品驗證時我們往往會遇到三個問題，驗證什么，如何去驗證，哪里去驗證，這就是what,how,where的問題了。

必須進行明智的封裝材料選擇、仔細控制的組裝環(huán)境和在運輸中采用密封包裝及放置干燥劑等措施。實際上國外經(jīng)常使用裝備有射頻標簽的濕度跟蹤系統(tǒng)、局部控制單元和專用軟件來顯示封裝、測試流水線、運輸/操作及組裝操作中的濕度控制。此外由于工藝技術的限制，模擬電路設計時應盡量少用或不用電阻和電容，特別是高阻值電阻和大容量電容，只有這樣才能提高集成度和降低成本。②THB: 加速式溫濕度及偏壓測試（Temperature Humidity Bias Test ）

目的: 評估IC產(chǎn)品在高溫，高濕，偏壓條件下對濕氣的抵抗能力，加速其失效進程測試條件: 85℃，85%RH, 1.1 VCC, Static bias

IC?耐久性測試

耐久性測試項目（Endurance test items ）Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性測試（Endurance Cycling Test ）

目的: 評估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能

Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲單元，在擦除數(shù)據(jù)，重復這個過程多次

測試條件: 室溫，或者更高，每個數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達到100k~1000k

具體的測試條件和估算結果可參考以下標準

MIT-STD-883E Method 1033

②數(shù)據(jù)保持力測試（Data Retention Test）

目的: 在重復讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲節(jié)點的電荷損失

測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory 存儲單元后，多次讀取驗證單元中的數(shù)據(jù)

失效機制：150℃

具體的測試條件和估算結果可參考以下標準：

MIT-STD-883E Method 1008.2

在了解上述的IC測試方法之后，IC的設計制造商就需要根據(jù)不用IC產(chǎn)品的性能，用途以及需要測試的目的，選擇合適的測試方法，的降低IC測試的時間和成本，從而有效控制IC產(chǎn)品的質量和可靠度。