IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。LED，發(fā)光二極管（lightemittingdiode縮寫）。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。大家很明白，有哪個(gè)用戶會(huì)在意顯示屏的驅(qū)動(dòng)占空比，他們?cè)诤醯氖秋@示屏的效果，而不是我們的技術(shù)實(shí)現(xiàn)。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

大尺寸驅(qū)動(dòng)Ic

市調(diào)機(jī)構(gòu)保守看待驅(qū)動(dòng)IC后市，相關(guān)企業(yè)看法則顯得相對(duì)分歧。聯(lián)詠、敦泰、奇景等認(rèn)同大尺寸驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)趨疲弱，對(duì)中小尺寸應(yīng)用，因各家布局產(chǎn)品與拓展商機(jī)進(jìn)度不一，看法同樣不同調(diào)。

針對(duì)大尺寸驅(qū)動(dòng)IC，聯(lián)詠總經(jīng)理王守仁日前指出，TV SoC受客戶提前備貨、第3季預(yù)期將處于消化庫存階段，預(yù)期業(yè)績(jī)微幅弱后。雖然功率不大的單個(gè)用電器功率因素低一點(diǎn)對(duì)電網(wǎng)的影響不大,但晚上大家點(diǎn)燈,同類負(fù)載太集中,會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生較嚴(yán)重的污染。奇景則預(yù)估下半年大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收逐季減少，毛利率也將因COF價(jià)格居高不下，較過去弱后，產(chǎn)品業(yè)績(jī)要待現(xiàn)有客戶導(dǎo)入的新案以及2020年8K電視發(fā)酵，才有望在明年1季恢復(fù)成長(zhǎng)。

電力MOSFET一般由PWM或其他方式的控制器IC內(nèi)部驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)，為提高關(guān)斷速度，實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷以降低關(guān)斷損耗以提高系統(tǒng)效率，在許多ACDC電源、手機(jī)充電器及適配器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，通常采用圖1所示的驅(qū)動(dòng)電路，采用適當(dāng)?shù)拈_關(guān)開關(guān)電阻和柵極下拉PNP管。模擬電路有一段時(shí)間，MOSFET并非模擬電路設(shè)計(jì)工程師的，因?yàn)槟M電路設(shè)計(jì)重視的性能參數(shù)，如晶體管的轉(zhuǎn)導(dǎo)（transconductance）或是電流的驅(qū)動(dòng)力上，MOSFET不如BJT來得適合模擬電路的需求。有些大功率ACDC電源有時(shí)為了提高驅(qū)動(dòng)能力，在外部采用了兩根管子組成的圖騰柱。