霍爾集成電路設(shè)計(jì)及其測(cè)試系統(tǒng)的研發(fā)

作為目前被廣泛使用的磁場(chǎng)傳感器之一的霍爾傳感器,在精密測(cè)量、工業(yè)自動(dòng)化及家用電器,特別汽車電子等領(lǐng)域得到了出色的應(yīng)用。隨著IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,其對(duì)測(cè)試儀器的要求越來越高,即要保證芯片的參數(shù)準(zhǔn)確,又需要很,測(cè)試儀變得智能化。對(duì)霍爾傳感器作了一些研究,對(duì)一款開關(guān)型雙極霍爾傳感器作了設(shè)計(jì)與分析。僅僅幾毫安的電流，這種自加熱效應(yīng)就會(huì)產(chǎn)生溫度誤差(這些誤差是可糾正的，但需要進(jìn)一步的斟酌考量)。針對(duì)此霍爾芯片開發(fā)了霍爾測(cè)試儀,能夠準(zhǔn)確測(cè)出霍爾器件的各項(xiàng)性能參數(shù)。本文章簡(jiǎn)要概述了模擬集成電路的重要性及發(fā)展國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀,在此基礎(chǔ)上引出了數(shù)?；旌霞傻幕魻杺鞲衅餍酒?對(duì)霍爾傳感器原理、應(yīng)用和未來發(fā)展?fàn)顩r作了詳細(xì)的描述。

深圳瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。它可以深入巖土體內(nèi)部進(jìn)行地下不同深度水平位移、沉降、傾斜方向等地質(zhì)參數(shù)的動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè),因此能準(zhǔn)確檢測(cè)地下位移形變信息,確定滑移面和變形范圍,進(jìn)而研究變形機(jī)制、成災(zāi)現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)及防災(zāi)預(yù)報(bào)。自公司成立以來，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。

什么是溫度傳感器IC？

溫度傳感器檢測(cè)某個(gè)物體的溫度或者其所在環(huán)境的溫度，并將讀數(shù)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。常見的溫度傳感器類型有熱電偶、電阻溫度檢測(cè)器(RTD)、熱敏電阻、本地溫度傳感器、遠(yuǎn)端熱二極管溫度傳感器IC。熱電偶、RTD和熱敏電阻等檢測(cè)元件的電學(xué)屬性隨溫度的變化具有非常強(qiáng)的可預(yù)測(cè)性。在乘積多傳感器PHD(Productmulti-sensorPHD,PM-PHD)濾波中,修正系數(shù)需要計(jì)算每一項(xiàng)均大于零的無窮項(xiàng)的和,計(jì)算不可行。本地溫度傳感器IC利用管芯上晶體管的物理特性作為檢測(cè)元件。臨床級(jí)溫度傳感器必須滿足ASTM E1112標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于臨床測(cè)溫儀技術(shù)規(guī)范的精度要求。遠(yuǎn)端溫度二極管溫度傳感器采用外部連接成PN結(jié)的晶體管作為檢測(cè)元件，包括使用一個(gè)或多個(gè)外部晶體管測(cè)量溫度所需的全部信號(hào)調(diào)理電路。

Maxim廣泛的硅溫度傳感器IC支持醫(yī)學(xué)、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心及移動(dòng)等各種應(yīng)用。除溫度傳感器之外，Maxim也提供風(fēng)扇控制器和溫度監(jiān)控器IC。各種壓力傳感器的原理壓阻式壓力傳感器這種傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上,制成硅壓阻芯片,并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內(nèi)，引出電極引線。Maxim的風(fēng)扇控制器IC監(jiān)測(cè)和控制系統(tǒng)制冷應(yīng)用中的風(fēng)扇轉(zhuǎn)速。Maxim的溫度監(jiān)控器IC測(cè)量溫度并提供功率開關(guān)輸出，適用于基于溫度的監(jiān)測(cè)和控制應(yīng)用。其他業(yè)界的特性包括：溫度傳感器的精度高達(dá)±0.5℃風(fēng)扇控制器帶有溫度檢測(cè)、電壓監(jiān)測(cè)和GPIO遠(yuǎn)端溫度傳感器多達(dá)7路通道臨床級(jí)溫度傳感器精度達(dá)到±0.1°C

3GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器

磁電阻效應(yīng)是對(duì)于一些磁性材料，當(dāng)施加外磁場(chǎng)時(shí)，材料的電阻會(huì)發(fā)生變化的效應(yīng)。這種磁電阻效應(yīng)次由William Thomson 于1857 年在鐵樣品中發(fā)現(xiàn)。這一發(fā)現(xiàn)的材料磁阻變化率很小，只有1%，此效應(yīng)即被稱為各向異性磁電阻(AMR)效應(yīng)。

1988 年，Grunberg 和Baibich 等人通過分子束外延的方法制備了Fe/Cr 多層膜，并在其中發(fā)現(xiàn)了磁阻變化率達(dá)到50%以上。這種巨大的磁電阻變化效應(yīng)被稱為巨磁電阻(GMR)效應(yīng)。GMR效應(yīng)來源于載流電子在不同的自旋狀態(tài)下與磁場(chǎng)的作用不同導(dǎo)致的電阻變化。GMR由鐵磁—非磁性金屬—鐵磁多層膜交疊組成。兩層鐵磁層的矯頑力不同。當(dāng)一邊測(cè)量RTD的電阻一邊改變它的溫度時(shí)，響應(yīng)幾乎是線性的，表現(xiàn)得像一個(gè)電阻器。當(dāng)鐵磁層的磁矩互相平行時(shí)，載流子與自旋有關(guān)的散射，材料具有的電阻。而當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時(shí)，載流子與自旋相關(guān)的散射強(qiáng)，材料的電阻。對(duì)于GMR效應(yīng)可以由Mott 提出的雙電流模型解釋。在非磁性層中，不同自旋的電子能帶相同，但是在鐵磁金屬中，不同自旋的能帶發(fā)生劈裂，導(dǎo)致在費(fèi)米能級(jí)處，自旋向上和向下的電子態(tài)密度不同。

在雙電流模型中，假設(shè)自旋向上和向下的電子沿層面流動(dòng)對(duì)應(yīng)兩個(gè)互相獨(dú)立的導(dǎo)電通道，其中自旋向上的電子，其平均自由程遠(yuǎn)大于自旋向下的電子。在鐵磁層磁矩反平行排列下，自旋向上和自旋向下的電子散射概率相同；而在平行排列下，自旋向上的電子散射要遠(yuǎn)小于自旋向下的電子，從而造成平行和反平行排列下電阻的差別。它們通常用于健身跟蹤應(yīng)用、可佩戴式產(chǎn)品、計(jì)算系統(tǒng)、數(shù)據(jù)記錄器和汽車應(yīng)用。

A1330驅(qū)動(dòng)ic與傳統(tǒng)IC比較

A1330器件的雙芯片封裝版本采用堆疊式封裝，與傳統(tǒng)的并排式封裝技術(shù)相比，A1330器件信道間的一致性更好。在安全性非常關(guān)鍵的應(yīng)用中，需要對(duì)兩個(gè)芯片的輸出進(jìn)行比較，以確保系統(tǒng)的安全運(yùn)行，這種一致性參數(shù)非常重要。磁電阻效應(yīng)是對(duì)于一些磁性材料，當(dāng)施加外磁場(chǎng)時(shí)，材料的電阻會(huì)發(fā)生變化的效應(yīng)。A1330的單芯片和雙芯片版本均采用扁平型、無鉛、8引腳TSSOP封裝，引腳框?yàn)?00％霧錫電鍍。