含硅光刻膠

為了避免光刻膠線條的倒塌，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術節(jié)點，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對襯底的刻蝕 [2]  。為此，研發(fā)了含Si的光刻膠，這種含Si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料（常被稱作Underlayer），其對光是不敏感的。曝光顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到Underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含Si的光刻膠刻蝕速率遠小于Underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2]  。含有Si的光刻膠是使用分子結構中有Si的有機材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的樹脂等

選擇光刻膠需要注意什么

光刻加工工藝中為了圖形轉移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被拷貝在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是較好的，但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進行合理的選擇。

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光刻膠的性能

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光刻膠產(chǎn)品種類多、專用性強，是典型的技術密集型行業(yè)。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的感光性能、溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊，要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。

光刻膠介紹

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光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一，是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下，其溶解度發(fā)生變化，經(jīng)適當溶劑處理，溶去可溶性部分，然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術門檻極高的電子化學品一直被國際企業(yè)壟斷。 隨著大力研發(fā)和投入， 國內(nèi)企業(yè)已逐步從低端 PCB 光刻膠發(fā)展至中端半導體光刻膠的量產(chǎn)。