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高溫束源爐簡(jiǎn)介
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束源爐是一種蒸發(fā)鍍膜裝置是在高真空條件下,通過(guò)加熱材料的方法,使坩堝中被蒸發(fā)物在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜,可用于鍍半導(dǎo)體、金屬膜,氧化物、納米級(jí)單層及多層功能膜的連續(xù)沉積。
隨著真空鍍膜技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)鍍膜設(shè)備的工藝需求也不斷提出更高的要求,尤其在超高溫蒸發(fā)設(shè)備領(lǐng)域更顯突出。在超高溫狀態(tài)下所用材料的選用尤為重要,要求在正常高溫下?tīng)t內(nèi)氣氛清潔,不能給工件帶來(lái)污染,使用穩(wěn)定性,溫控精度等。
濺射靶材的種類
濺射靶材的種類較多,即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類方法,能夠?qū)R射靶材分為不同的類別,主要分類情況如下:
按形狀分類:長(zhǎng)靶、方靶、圓靶
按化學(xué)成份分類:金屬靶材(純金屬鋁、鈦、銅、鉭等)、合金靶材(鎳鉻合金、鎳鈷合金等)、陶瓷化合物靶材(氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等)
按應(yīng)用領(lǐng)域分類:半導(dǎo)體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽(yáng)能電池靶材、信息存儲(chǔ)靶材、I具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。
表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體 是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。
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靶材的應(yīng)用領(lǐng)域
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1 :微電子領(lǐng)域
2 :平面顯示器用靶材
3 :存儲(chǔ)技術(shù)用靶材
濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕等行業(yè)。