在制作鋁蝕刻標(biāo)牌中,表面拋光怎樣才不傷到底色

1）蝕刻深度不能太淺；

2）填的漆料不能太稠，不能失去流動性。太稠的油漆容易高出牌面，更容易被拋光傷及。

3）填漆后再拋光，要用烤漆，如氨基烘漆（烘烤115－125度），也可用加固化劑的漆。普通硝基漆易拋掉。

4）填漆后要有足夠的干燥固化時間。

5）拋光時用力要均勻，盡量不要橫向豎向亂拋。

6）還有一個非常有效的方法就是預(yù)先拋光。一次拋得就比較亮了，在網(wǎng)印、腐蝕、清洗、填漆過程再稍加注意不要劃傷版面，那么后一次拋光就容易得多。一些精檔的金屬填漆標(biāo)牌都要拋兩遍光。

標(biāo)牌電蝕刻問題

1.不銹鋼(300系列)在中會鈍化,不會腐蝕.面鹽酸和會造成不銹鋼的腐蝕,優(yōu)以HF為重.

2.蝕刻不銹鋼用NaCl()水溶液就可以,黃銅可以考慮用NaCl和NaNo3(鈉)混合溶液.

3.蝕刻鋁牌與其它金屬一樣,不存在的電蝕比化學(xué)蝕刻快,電蝕對小面積細(xì)線條的圖案,按每次一塊與化學(xué)蝕刻相絲,要快5-10倍(看蝕刻液配方及蝕刻頭形狀,陰陽極間距,蝕刻溫度,電源波形),但化學(xué)蝕刻一次蝕刻的面積可能要較電刻大幾十或數(shù)百倍(如用PCB機(jī)),所以這種說法不準(zhǔn)確!每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個很好的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內(nèi)噴射壓力在30磅/平方英寸（2Bar）以上的情況微乎其微。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ?其中條件設(shè)計由如下程序進(jìn)行：流程圖－布點(diǎn)定位－規(guī)格－內(nèi)容－色彩。 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進(jìn)入通道網(wǎng)絡(luò)，所以通過微加工技術(shù)所制得的具有不同結(jié)構(gòu)和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ?氨在溶液中的變化量也是需要加以控制的,有一些用戶采用將純氨通入蝕刻儲液槽的做法,但這樣做必須加一套PH計控制系統(tǒng),當(dāng)自動監(jiān)測的PH結(jié)果低于默認(rèn)值時﹐便會自動進(jìn)行溶液添加。 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機(jī)物和金屬物等清除干凈，包括 化學(xué)清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進(jìn)行 對玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的 蓋片洗凈烘干對齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。