金屬封裝外殼在將柱形鋁材按照前面評估的胚料大小進行切割并擠壓，這個過程被稱之為鋁擠，會讓鋁材擠壓之后成為規(guī)則的鋁板方便加工，同時更加致密，堅硬。因為原始的鋁材硬度和強度都不夠。金屬基復合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復合材料。傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。金屬封裝材料為實現(xiàn)對芯片支撐、電連接、熱耗散、機械和環(huán)境的保護，應具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應力的產(chǎn)生；金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。

 國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。金屬封裝機殼程序編寫包攬了加工的工藝流程設置、數(shù)控刀片挑選，轉速比設置，數(shù)控刀片每一次走刀的間距這些。另一個缺點是由于W的百分含量高而導致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。材料工作者在這些材料基礎上研究和開發(fā)了很多種金屬基復合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強體的一種復合材料。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

本發(fā)明公開了一種金屬封裝外殼，通過將現(xiàn)有技術中的塑料外殼的形狀進行改變，以及對材料進行更換，采用銅作為外殼的材料，同時對外殼內(nèi)部的引線由圓柱狀結構改進為扁平狀結構，使得外殼的內(nèi)部空間增加，散熱性能增強，解決了現(xiàn)有技術中封裝外殼散熱性能差的問題。金屬外殼制作工藝大致可以分為3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，還有就是將CNC與壓鑄結合使用。本發(fā)明還提供了一種金屬封裝外殼的制備工藝，改進了現(xiàn)有工藝流程，通過該制備工藝制備的金屬封裝外殼具備更可靠的保護性能。

封裝用金屬管殼行業(yè)前景預測分析報告是運用的方法，

對影響封裝用金屬管殼行業(yè)市場供求變化的諸因素進行調(diào)查研究，分析和預見其發(fā)展趨勢，掌握封裝用金屬管殼行業(yè)市場供求變化的規(guī)律，為經(jīng)營決策提供的依據(jù)。這些物質(zhì)可以使無氧高導銅的退火點從320℃升高到400℃，而熱導率和電導率損失不大。預測為決策服務，是為了提高管理的水平，減少決策的盲目性，需要通過預測來把握經(jīng)濟發(fā)展或者未來市場變化的有關動態(tài)，減少未來的不確定性，降低決策可能遇到的風險，使決策目標得以順利實現(xiàn)