光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。終應用領域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中核心的工藝。

以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達到EUV(<13.5nm)線水平。雖然在甩膠之后，液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。

目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

光刻膠：用化學反應進行圖像轉(zhuǎn)移的媒介

光刻膠具有光化學敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領域，需求較為分散。

光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中， PCB光刻膠占全球市場24.5%，半導體IC光刻膠占全球市場24.1%，LCD光刻膠占全球市場26.6%。

NR9-1000py

問題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設計的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

2．請問有沒有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？

A 美國光刻膠，F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應用產(chǎn)品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過HMCTS

silyiation process,可以達到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請問，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因為使用NR5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers