四種常見的真空鍍膜材料

1.氧化物:一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

2.氟化物：氟化釹NbF3,BaF2，氟化CeF3，氟化鎂MgF2，LaF3，氟化釔YF3，氟化鐿YbF3，氟化鉺ErF3等高純氟化物。

3.其它化合物：硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，CdS等真空鍍膜材料。

4.金屬鍍膜材料：高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，銅銦合金CuInGa，銅銦硒合金CuInGaSe，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。因此，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。

真空鍍膜的方法很多，計有：(1)真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。(2)陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強約1.33～13.3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。真空PVD鍍膜基本步驟前處理工藝褪膜、噴砂、拋光、鈍化、清洗、裝夾鍍膜工藝抽真空、加熱烘烤、漏率測試、轟擊清洗、鍍膜、冷卻出爐后處理工藝清洗：確保鍍膜前產(chǎn)品表面的清潔，越新鮮的表面，越能保證鍍膜質(zhì)量。(3)化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。(4)離子鍍：實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結(jié)合，兼有兩者的工藝特點。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點。

arylene符合ISO-10993生物試驗要求

Parylene符合FDA G95-1

Parylene符合（RoHS）2002/95/EC

生物兼容性和生物穩(wěn)定性

極佳的防化學(xué)物、防潮、絕緣及防電子阻隔性能、較好的機械強度，耐用且附著良好

微米級涂層厚度均勻可控，可控制厚度降低500A

干膜潤滑性

優(yōu)異的的疏水性能

良好光學(xué)性能

本身無毒，無副產(chǎn)物