蝕刻過程中應(yīng)注意的問題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長, 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。因此,使用新鮮溶液與蝕刻表面相互作用﹐其主要目的有兩個(gè)﹕沖掉剛產(chǎn)生的銅離子及不斷為進(jìn)行反應(yīng)供應(yīng)所需要的氨（NH3）。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時(shí)都會造成導(dǎo)線短路。

因 為突沿容易撕裂下來﹐在導(dǎo)線的兩點(diǎn)之間形成電的拆接。 影響側(cè)蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點(diǎn)﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側(cè)蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側(cè)蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學(xué)組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達(dá)到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴(yán)重側(cè)蝕。2、加大了噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度，無論在蝕刻效果、速度和改善操作者的環(huán)境及方便程度，都優(yōu)于潑濺式蝕刻。 提高蝕刻質(zhì)量與加快蝕刻速率有很大的關(guān)系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時(shí)間越短﹐側(cè)蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。

氯化銨含量的影響 通過蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出﹕﹝Cu(NH3)2﹞1 的再生需要有過量的 NH3 和 NH4CL 存在。 如果溶液中缺乏 NH4CL, 而使大量的﹝Cu(NH3)2﹞1 得不到再生﹐蝕刻速率就會降低 ﹐以至失去蝕刻能力。 所以﹐氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。 隨著蝕刻的進(jìn)行﹐要不 斷補(bǔ)加氯化銨。 但是﹐溶液中 CL 含量過高會引起抗蝕層被浸蝕。4、正式蝕刻把堅(jiān)好膜并在不和貼上了防腐保護(hù)膜的那兩塊不銹鋼板放在入料口的適宜方位，按下蝕刻開關(guān)，蝕刻機(jī)就開端對不銹鋼板進(jìn)行蝕刻，3分鐘后，咱們就在出料口看到了的這兩塊不銹鋼板，細(xì)心檢查一下，像這樣就達(dá)到了咱們懇求的蝕刻作用。 一般蝕刻液中 NH4CL 含 量應(yīng)在 150g/L 左右。

條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質(zhì)。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時(shí)光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。它可以是保留圖文，將圖文以外的區(qū)域蝕刻成下凹，稱為陽文蝕刻，或反蝕刻。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。