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探測(cè)故障.斷路器位置及保護(hù)動(dòng)作情況經(jīng)開關(guān)量輸入接口變成電信號(hào),再經(jīng)隔離之后,成組進(jìn)入CPU處理儲(chǔ)存。在正常情況下,CPU采集到電流電壓突變量,或過電流、過電壓、零序電流、開關(guān)狀態(tài)變化等信號(hào)時(shí),啟動(dòng)故障錄波。由于數(shù)據(jù)采集是連續(xù)的,故可將故障前一定時(shí)段的數(shù)據(jù)和故障后的全部數(shù)據(jù)采集送入RAM。然后存入磁盤,由離線分析程序顯示出波形曲線圖、一次/二次錄波值等。
絕緣電阻
在正常試驗(yàn)大氣條件下,裝置的外引帶電回路部分和外露非帶電金屬部分及外殼之間,以及電氣上無聯(lián)系的各回路之間,用500V的兆歐表測(cè)量其絕緣電阻值不小于100 MΩ。 介質(zhì)強(qiáng)度
在正常試驗(yàn)大氣條件下,裝置能承受頻率為50Hz,歷時(shí)1min的工頻耐壓試驗(yàn)而無擊穿閃絡(luò)及元件損壞現(xiàn)象。試驗(yàn)過程中,任一被試回路施加電壓時(shí),其余回路等電位互聯(lián)接地。
沖擊電壓
在正常試驗(yàn)大氣條件下,裝置的直流輸入回路、交流輸入回路、輸出觸點(diǎn)等各回路對(duì)地,以及電氣上無聯(lián)系的各回路之間,能承受 1.2/50μs 的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的短時(shí)沖擊電壓試驗(yàn),開路試驗(yàn)電壓為 5kV。
高的性能裝置化設(shè)計(jì):裝置采用與繼電保護(hù)裝置完全相同的加強(qiáng)型 19 in 4U 裝置化機(jī)箱設(shè)計(jì),插件式后插拔結(jié)構(gòu),強(qiáng)弱電徹底分離。印制板設(shè)計(jì)加工采用多層板及 SMT 工藝,使裝置的可靠性得到了極大的提高。
全嵌入式硬件結(jié)構(gòu)平臺(tái):嵌入式模塊化 CPU、32 位浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、大規(guī)模可編程邏輯器件(FPGA)、分層分布式多 CPU 并行技術(shù);功能合理分散、結(jié)構(gòu)緊湊、易于擴(kuò)展、充分保證裝置具有強(qiáng)大的數(shù)據(jù)吞吐及處理能力。電磁兼容(EMC)通過嚴(yán)酷等級(jí)為Ⅳ級(jí)測(cè)試。
故障錄波圖波形特點(diǎn)
①三相電流增大,三相電壓降低;
②沒有零序電流、零序電壓;
③故障相電壓超前故障相電流約80°左右;
④故障相間電壓超前故障相間電流同樣約80°左右;
(5)單相斷線故障
故障性質(zhì)
①斷線相電流為0;
②在斷線處兩側(cè)均要有接地中性點(diǎn)才能有零序電流;
③全相運(yùn)行線路中零序電流小于非全相運(yùn)行線路中零序電流;
④全相運(yùn)行線路中負(fù)序電流小于非全相運(yùn)行線路中負(fù)序電流;
⑤斷相處在保護(hù)正方向時(shí),零序電壓滯后零序電流約100°左右,斷相處在保護(hù)反方向時(shí),零序電壓超前零序電流約80°左右;
⑥Z00>Z11時(shí),非故障相電流減小,Z00=Z11時(shí),非故障相電流不變,Z00<Z11時(shí),非故障相電流增大。
(6)兩相斷線故障