ICP刻蝕機簡介

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一．系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點。具體描述如下：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動上開蓋結(jié)構(gòu)；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內(nèi)腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達(dá)到（采用分子泵抽氣)；

停泵關(guān)機12小時后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機進(jìn)行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺頻率 13.56MHz，功率600W，全自動匹配；

11. 6路氣體，共計使用6個質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優(yōu)于±5%（Φ4英寸范圍內(nèi)）

優(yōu)于±6%（Φ6英寸范圍內(nèi)）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

等離子體化學(xué)氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應(yīng)粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學(xué)反應(yīng)生成固態(tài)膜。）采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學(xué)反應(yīng)等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力及源氣體成分。主要特點是可顯著降低反應(yīng)溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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