光刻膠

① 工藝角度普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。該技術的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。② 曝光系統伴隨著新一代曝光技術（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿足其所能實現光刻分辨率的同時，光刻膠也相應發(fā)展。先進曝光技術對光刻膠的性能要求也越來越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，實現工業(yè)化生產。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進行改善。

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光刻膠概況

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光刻膠又稱光致抗蝕劑,是光刻工藝的關鍵化學品,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用,是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類。其中,樹脂約占 50%,單體約占35%,光引發(fā)劑及添加助劑約占15%。

微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢？

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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠，正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。

光刻膠的組成部分

光刻膠一般由4種成分組成:樹脂型聚合物、光活性物質、溶劑和添加劑。樹脂是光刻膠中占比較大的組分，構成光刻膠的基本骨架，主要決定曝光后光刻膠的基本性能，包括硬度、柔韌性、附著力、耐腐蝕性、熱穩(wěn)定性等。光活性物質是光刻膠的關鍵組分，對光刻膠的感光度、分辨率等其決定性作用。

分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發(fā)展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

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