蒸鍍中關(guān)鍵的兩個參數(shù)是真空度（≤10-3Pa）和相對蒸發(fā)源的基片距離（10~50cm）。蒸鍍過程中，膜層粒子與真空室中的氣體的碰撞是應該避免的，因此，相對蒸發(fā)源的基片距離應大于工作狀態(tài)下真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程。

濺射鍍膜過程為：氣體放電→等離子體→帶電離子→電場作用→離子加速→高能離子→撞擊靶材→濺射→發(fā)射靶材原子→飛向基板→形成沉積→獲得薄膜。

一個真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進了化學氣相沉積(CVD)生長方法，消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。這種均勻“”的單層單晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射電鏡成像和光學設備的超薄支撐材料。也可作為一種合適的石墨烯，以實現(xiàn)非常均勻的功能化，這將促使推動許多其他應用，特別是用于各種類型的傳感器。

當考慮電子束蒸發(fā)技術(shù)時，該方法涉及純粹的物理過程，其中目標充當包含待沉積材料的蒸發(fā)源，該材料用作陰極。請注意，系統(tǒng)會根據(jù)電子束功率蒸發(fā)任何材料。通過在高真空下轟擊電子，在高蒸氣壓下加熱材料，并釋放出顆粒。然后，在原子尺寸釋放的粒子和氣體分子之間發(fā)生沖突，該粒子插入反應器中，旨在通過產(chǎn)生等離子體來加速粒子。該等離子體穿過沉積室，在反應器的中間位置更強。連續(xù)壓縮層被沉積，從而增加了沉積膜對基底的粘附力