化學氣相沉積（Chemical Vapor Deition,簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

鍍膜機工藝在平板顯現(xiàn)器中的運用一切各類平板顯現(xiàn)器都要用到各品種型的薄膜，并且簡直一切類型的平板顯現(xiàn)器材都需求運用ITO膜，以滿意通明電器的請求。能夠毫不夸張的說：沒有薄膜技能就沒有平板顯現(xiàn)器材。

五金配件真空鍍膜設備PCVD技術具有沉積溫度低，沉積速率快，繞鍍性好，薄膜與基體結合強度好，設備操縱維護簡單等優(yōu)點，用PCVD法調節(jié)工藝參數(shù)方便靈活，輕易調整和控制薄膜厚度和成份組成結構，沉積出多層復合膜及多層梯度復合膜等膜，同時，PCVD法還拓展了新的低溫沉積領域，例如，用PCVD法可將TiN的反應溫度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制備納米陶瓷薄膜的特點是：產品的楊氏模量、抗壓強度和硬度都很高，耐磨性好，化學性能穩(wěn)定，性和腐蝕性好，有較高的高溫強度。

有時將此方法用作預涂層，目的是提高基材的耐久性，減少摩擦并改善熱性能-這意味著人們可以在同一涂層中結合PVD和CVD層等沉積方法。

在數(shù)學建模和數(shù)值模擬方面也有大量研究有助于改善此過程，這可能是優(yōu)于其他過程的優(yōu)勢。這些研究對改善反應堆的特性有很大的影響，從而導致未來的成本降低，以及對薄膜機械性能的改善。

由于磁控濺射技術的發(fā)展將集中在未來對這些特定反應器的改進上，因此這項工作已成為主要重點。