AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中不存在所謂“魔彈式”能效提高法

在 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，不存在所謂“魔彈式”能效提高法，設(shè)計(jì)人員費(fèi)盡心機(jī)往往也只能略微提高能效。但是，通過(guò)幾種大小策略組合反而有效：選擇合適的轉(zhuǎn)換器核心拓?fù)洌_定適合該方法和功率水平的開(kāi)關(guān)頻率；該頻率通常在 100 kHz 至 1 MHz 之間。優(yōu)化電路：所有基本設(shè)計(jì)中都有許多細(xì)節(jié)會(huì)產(chǎn)生無(wú)功功率，電源設(shè)計(jì)人員已經(jīng)找到了相應(yīng)方法，在一定或很大程度上使其化；每個(gè)方面可能只有些許改進(jìn)，但積少成多。使用本質(zhì)上有助于提高能效的有源和無(wú)源元件；對(duì)于功率器件 (MOSFET) 和某些二極管，則表示要改用基于 SiC 工藝技術(shù)的元器件。

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開(kāi)關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢(shì)，因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?，包括：臨界電場(chǎng)擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱(chēng)為寬帶隙 (WBG) 器件。

可編程直流電源采用嵌入式供電方式

因電源在開(kāi)關(guān)柜內(nèi)，可減少電纜的使用量，節(jié)約一次設(shè)備投資及電纜施工工作量;在總臺(tái)數(shù)不多時(shí)，其總價(jià)低于直流屏系統(tǒng)，可降低工程總造價(jià)；同時(shí)在運(yùn)行時(shí)可減少線(xiàn)損，減少備件，節(jié)約運(yùn)行成本?？删幊讨绷麟娫床捎们度胧焦╇姺绞?，可靠性極大。當(dāng)某一回路發(fā)生故障時(shí)，其它回路的電源裝置不受影響，避免出現(xiàn)一點(diǎn)故障全站無(wú)操作電源，與集中供電的直流屏相比，其總體可靠性得以極大提高。

經(jīng)整流濾波后的直流電壓必須采取一定的穩(wěn)壓措施才能適合電子設(shè)備

經(jīng)整流濾波后輸出的直流電壓，雖然平滑程度較好，但其穩(wěn)定性仍比較差。經(jīng)整流濾波后的直流電壓必須采取一定的穩(wěn)壓措施才能適合電子設(shè)備的需要。常用的直流穩(wěn)壓電路有并聯(lián)型和串聯(lián)型穩(wěn)壓電路兩種類(lèi)型。一般情況下，可以按照UD1=UR2和ID1≈(IR2)max來(lái)初步選定穩(wěn)壓管D1，如果負(fù)載有可能開(kāi)路則應(yīng)選擇(ID1)max≈(2-3)(IR2)max，這是因?yàn)楫?dāng)負(fù)載時(shí)所有電流全部都會(huì)流過(guò)D1，所以ID1應(yīng)該適當(dāng)選擇大一點(diǎn)。