（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。

（2）常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD）或大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）是在0.01—0.1MPa壓力下進(jìn)行，低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）則在10-4 MPa下進(jìn)行。CVD或輝光放電CVD，是低壓CVD的一種形式，其優(yōu)點(diǎn)是可以在較低的基材溫度下獲得所希望的膜層性能。

CVD法具有如下特點(diǎn)：可在大氣或低于大氣壓下進(jìn)行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復(fù)雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)較易準(zhǔn)確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結(jié)合力高，設(shè)備簡單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會產(chǎn)生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現(xiàn)象，晶粒長大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復(fù)合碳化物。

（4）處理后的母材必須進(jìn)行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點(diǎn)的金屬材料。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強(qiáng)、抽速等；對于基體來說有，沉積溫度、相對位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對于等離子體有，放電種類、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進(jìn)功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。