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肖特基二極管是以其發(fā)明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發(fā)展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀(jì)延續(xù)了這個(gè)不平凡，將高頻率低耗損環(huán)保節(jié)能的產(chǎn)品引入并發(fā)展！

肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。

ASEMI為您專業(yè)提供肖特基二極管參數(shù)選型測(cè)試，以上為ASEMI外觀包裝樣式。產(chǎn)品一般為管裝，激光打標(biāo)，采用環(huán)保進(jìn)口牛皮紙材料紙箱，品質(zhì)優(yōu)越

為解決SBD在高溫下易產(chǎn)生由金屬-半導(dǎo)體的整流接觸變?yōu)闅W姆接觸而失去導(dǎo)電性這一肖特基勢(shì)壘的退化問(wèn)題，ASEMI通過(guò)退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢(shì)壘，從而提高了肖特基勢(shì)壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產(chǎn)的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產(chǎn)品系列通過(guò)歐盟rosh以及美國(guó)ul認(rèn)證，銷售覆蓋全球。

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SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開(kāi)關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。