感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機的結(jié)構(gòu)一

預(yù)真空室預(yù)真空室的作用是確保刻蝕腔內(nèi)維持在設(shè)定的真空度，不受外界環(huán)境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機械手、傳動機構(gòu)、隔離門等組成。

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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機的結(jié)構(gòu)二

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刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu)，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

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感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機的結(jié)構(gòu)三

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供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕機的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

如果需要進行刻蝕，和蝕刻后，除污，清除浮渣，表面處理，等離子體聚合，等離子體灰化，或任何其他的蝕刻應(yīng)用，我們能夠制造客戶完全信任的等離子處理系統(tǒng)，以滿足客戶的需要。我們既有常規(guī)的等離子體蝕刻系統(tǒng)，也有反應(yīng)性離子蝕刻系統(tǒng)，我們可以制造系列的產(chǎn)品，也可以為客戶定制特殊的系統(tǒng)。我們可以提供快速/高品質(zhì)的蝕刻，減輕等離子傷害，并提供的均勻性。

等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材，甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負荷及機械負荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。

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