ASEMI肖特基二極管BD10100CT

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ASEMI肖特基二極管BD10100CT 電性參數(shù):10A，100V，其封裝為TO-251封裝，是一款80％采用俄羅斯米克朗（Mikron）高抗沖擊能力芯片及20％采用國內(nèi)先進(jìn)的SCHOTTKY生產(chǎn)廠家立昂（Lion）芯片為基材的肖特基二極管，從根本上保證了其效率穩(wěn)定持續(xù)工作的性能，而其黑膠部分采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材質(zhì)，加強(qiáng)了它的包封性能和阻燃性能；在引腳及框架方面，更是采用無縫焊接技術(shù)加粗設(shè)計，使其擁有更強(qiáng)的減少氧化、抗彎曲和導(dǎo)電性能，如此多的優(yōu)越材質(zhì)集一身，怎能不耀眼呢？

?MBR60200PT肖特基二極管ASEMI

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ASEMI肖特基二極管MBR60200PT屬于大功率產(chǎn)品要用大電流的肖特基二極管來起整流的作用，這也是現(xiàn)在越來越多的工程師設(shè)計選擇思路具有正向整流輸出大電流.

MBR60200PT肖特基二極管     ASEMI導(dǎo)讀:

型號：MBR60200PT                 品牌：ASEMI

封裝：TO-247/3P                  特性：肖特基二極管

★電性參數(shù)：60A，200V            ★芯片材質(zhì)：SI

★正向電流(Io)：60A              ★芯片個數(shù)：2

★正向電壓(VF)：0.89V            ★芯片尺寸：150MIL

★浪涌電流Ifsm：200A             ★是否進(jìn)口：否

★漏電流(Ir)：10UA               ★工作溫度：-50~125

★恢復(fù)時間(Trr)：<5nS            ★引線數(shù)量：3

二極管肖特基?ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT

ASEMI肖特基二極管期初目的是為提高電源效率，從而研制出了普通肖特基二極管；現(xiàn)如今，為充分發(fā)揮挖掘SKY的低VF效能而開發(fā)出的低壓降肖特基二極管。那我們今天在這里也認(rèn)識到了低壓降肖特基二極管，可謂升級版的低壓降肖特基二極管，超值特性、超低VF、高溫漏電小。

ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用。臺灣原裝 ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT 采用俄羅斯Mikron芯片，28條臺灣健鼎測試線。電性參數(shù)為40A100V,內(nèi)含芯片個數(shù)有2個，芯片尺寸達(dá)130MIL.

ASEMI肖特基MBR60200PT

ASEMI肖特基MBR60200PT的外觀，本節(jié)我們以它為列，通過講解其各項參數(shù)，會讓你對整個肖特基產(chǎn)品系列有一個更深入的了解，為了更直觀方便的說明，我們以MBR60200PT的規(guī)格書為模板進(jìn)行解說：

下圖截取的就是肖特基MBR60200PT參數(shù)頁面文檔，我們會自上而下逐條講解每個參數(shù)所代表的意義及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重復(fù)峰值電壓

Average Rectified Forward Current ——平均整流正向電流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型熱阻（每條腿)

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌電流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重復(fù)浪涌電流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——電壓變化率（額定VR）

Operating Junction Temperature—— 工作溫度

Storage Temperature ——儲存溫度