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肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區(qū)別，它的內部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構成。

ASEMI專業(yè)生產肖特基二極管12年，產品型號參數(shù)齊全，歡迎詳詢

在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式

肖特基二極管

      優(yōu)點：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復時間極短:        可達5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號中就20100是阿拉伯數(shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。