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內(nèi)蒙古輝光離子氮化爐功率電話

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發(fā)布時(shí)間:2020-08-24 10:50  







湖北豐熱科技有限公司(原武漢離子熱處理研究所),專業(yè)制造輝光離子滲氮爐的高新技術(shù)企業(yè);是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售安裝輝光離子滲氮爐,并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術(shù)服務(wù)。

輝光放電的主要應(yīng)用是利用其發(fā)光效應(yīng)(如霓虹燈、日光燈)以及正常輝光放電的穩(wěn)壓效應(yīng)。在陰-陽(yáng)極間加上直流電壓時(shí),腔體內(nèi)工作氣體中剩余的電子和離子在電場(chǎng)的作用下作定向運(yùn)動(dòng),于是電流從零開(kāi)始增加;低氣壓下的輝光放電雖然可以處理這些材料,但存在成本、處理效率等問(wèn)題,目前無(wú)法規(guī)?;瘧?yīng)用于紡織品的表面處理。當(dāng)極間電壓足夠大時(shí),所有的帶電離子都可以到達(dá)各自電極,這時(shí)電流達(dá)到某一1大值(即飽和值);??

雙極性脈沖中頻靶電源一般帶孿生靶或雙靶運(yùn)行。兩個(gè)靶的工作電壓極性相反同時(shí)又不斷互換極性,電壓極性為負(fù)時(shí)的磁控靶發(fā)生濺射,極性為正時(shí)的那個(gè)磁控靶不產(chǎn)生濺射。??由于陰陽(yáng)極間電場(chǎng)正負(fù)極性來(lái)回變化,使電子路徑延長(zhǎng),與工作氣體碰撞次數(shù)增加,故單個(gè)磁控靶承載同樣功率(其它真空環(huán)境條件相同)時(shí),選用雙極脈沖中頻靶電源比用純直流靶電源和脈沖直流中頻靶電源時(shí),工作氣體的離化幾率和靶材的沉積速率均要高一些。??磁控靶陰極電壓極性為負(fù)時(shí),其單脈沖氣體放電應(yīng)與直流氣體放電伏-安特性曲線異常輝光放電段及之前段的變化規(guī)律(趨勢(shì))相符。和普通化學(xué)熱處理相同,根據(jù)滲入元素的不同,有離子滲碳、離子滲氮、離子碳氮共滲、離子滲硼、離子滲金屬等等。??

將兩個(gè)面積不相等的電極置于射頻(例如13.56MHZ)輝光放電離子體中形成非對(duì)稱放電,面積小的那個(gè)電容耦合陰極有可能形成并建立陰極靶表面的負(fù)偏壓,并能產(chǎn)生濺射。?電容耦合型射頻(RF)放電電極自給偏壓的形成,可以防止絕緣層表面正電荷的積累,有助于射頻放電的維持。陰極靶表面的“自生負(fù)偏壓”的數(shù)值可以近似等于射頻濺射電壓的幅值,1高時(shí)可達(dá)千伏量級(jí)。輝光離子氮化是指利用輝光放電現(xiàn)象使工件表面滲入氮原子的熱處理方法。


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