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電池片的檢驗
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。
背電場:
A 級:
背電場完整,厚薄均勻,允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 15% 。
新的標(biāo)準(zhǔn):背電場完整,厚薄均勻,不允許有缺失
B 級:
允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 10% ,變色面積不超過背電場面積的 30% 。
新的標(biāo)準(zhǔn):允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 15% 。
C 級:
允許有缺失,缺失面積不超過背電場總面積的 10% ,變色面積不超過背電場面積的 50% 。
新的標(biāo)準(zhǔn):缺失面積不超過背電場總面積的 5% ,變色面積不超過背電場面積的 50% 。
粗點:
粗點寬度≤ 0.18mm ,個數(shù)小于 2 個
新的標(biāo)準(zhǔn):不允許有粗點
粗點寬度≤ 0.25mm ,個數(shù)小于 5 個
新的標(biāo)準(zhǔn):允許有粗點,粗點寬度≤ 0.18mm ,個數(shù)小于 2 個
粗點寬度≤ 0.3mm ,個數(shù)小于 8 個
新的標(biāo)準(zhǔn):當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細不均時,應(yīng)用刻度顯微鏡進行查檢。
電池片的制作工藝
PECVD
PE 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,減少反射,氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學(xué)反應(yīng)可以簡單寫成 : SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程,生成活性很高的各種化學(xué)基團,因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍,使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化( < 450 ℃ )。
2. 節(jié)省能源,降低成本。
3. 提高產(chǎn)能。
4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
PE 設(shè)備有兩類:平板式和管式。
按反應(yīng)方式分為:直接式(島津)和間接式( Roth & Rau )。
直接式:基片位于一個電極上,直接接觸等離子體。
間接式:基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里,等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外,然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ,而 SiH4 直接進入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多,這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。
電池片常見異常情況處理方法
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。
六、 虛印:
1、 網(wǎng)版堵塞:用醇先擦一遍,再用干無塵布擦干;
2、 印刷刮刀條不平:更換刮刀條;
3、 網(wǎng)版不合格:更換網(wǎng)版;
4、 車間溫度與濕度不合適:溫度控制在22±2℃,濕度控制在50±3%;
5、 印刷參數(shù)不合格:調(diào)整印刷壓力、印刷間隙與印刷速度
6、 工作臺板不平,磨損嚴(yán)重:檢查更換工作臺板;
7、 印刷機導(dǎo)軌不平:設(shè)備重新調(diào)整導(dǎo)軌;
七、 粗線:
1、 原硅片為線痕片:控制線痕原硅片;
2、 網(wǎng)版使用次數(shù)太多,張力不夠:更換新網(wǎng)版。