如何檢測(cè)元件有老化的現(xiàn)象？ 半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測(cè)的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè),可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？對(duì)元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱(chēng)為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過(guò)其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。

開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測(cè)試 VF： 0-5V±2%±0。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被測(cè)雙脈沖觸發(fā)信號(hào)，開(kāi)通和關(guān)斷被測(cè)器件兩次，被測(cè)器件次開(kāi)通后，集電極電流IC上升，直至被測(cè)器件飽和導(dǎo)通且IC達(dá)到測(cè)試規(guī)定值時(shí)，關(guān)斷被測(cè)器件(設(shè)為t1時(shí)刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時(shí)，第二次開(kāi)通被測(cè)器件(設(shè)為t2時(shí)刻)，此后電感L中的電流向IC轉(zhuǎn)移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測(cè)器件再次達(dá)到飽和導(dǎo)通時(shí)(設(shè)為t3時(shí)刻)，關(guān)斷被測(cè)器件。記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導(dǎo)通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。

其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 關(guān)斷時(shí)間采用單脈沖測(cè)試，由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測(cè)試要求值，開(kāi)關(guān)被測(cè)器件DUT一次，被測(cè)器件的開(kāi)沖持續(xù)時(shí)間必須保證DUT完全飽和，同時(shí)監(jiān)測(cè)集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測(cè)器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過(guò)光通訊方式將測(cè)試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，由計(jì)算機(jī)對(duì)測(cè)試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測(cè)試結(jié)果。（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0。