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測量示例:
SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號,但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜,或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準(zhǔn)的工藝控制,有必要測量這些膜厚度。
膜厚儀廠家解釋凡其厚度與入射光波長相比擬的并能引起干涉現(xiàn)象(相干光程小于相干長度)的膜層為薄膜,其厚度遠大于入射光波波長的膜層稱之為厚膜。如今,微電子薄膜,光學(xué)薄膜,抗1氧化薄膜,巨磁電阻薄膜,高溫超導(dǎo)薄膜等在工業(yè)生產(chǎn)和人類生活中的不斷應(yīng)用,在工業(yè)生產(chǎn)的薄膜,其厚度是一個非常重要的參數(shù),直接關(guān)系到該薄膜材料能否正常工作。
如果膜厚測試儀已經(jīng)進行了適當(dāng)?shù)男?zhǔn),所有的測量值將保持在一定的誤差范圍內(nèi);根據(jù)統(tǒng)計學(xué)的觀點,一次讀數(shù)是不可靠的。因此任何由膜厚測試儀顯示的測量值都是五次“看不見”的測量的平均值。這五次測量是在幾分之一秒的時間內(nèi)由探頭和儀器完成的。