制取原料制造氮化硅磚的主要原料

氮化硅是一種構(gòu)造結(jié)構(gòu)陶瓷。它是一種硬化學(xué)物質(zhì)，自身具備潤(rùn)濕性，而且抗磨損，為原子晶體；并且它還能抵御熱冷沖擊性，在空氣中加溫到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加溫，也不會(huì)。更是因?yàn)榈璐善骶邆涮攸c(diǎn)，大家經(jīng)常用它來(lái)生產(chǎn)制造滾動(dòng)軸承、機(jī)械設(shè)備密封圈等機(jī)械設(shè)備預(yù)制構(gòu)件。生產(chǎn)制造氮化硅磚的關(guān)鍵原料是煅燒鎂砂和鉻鐵礦。鎂砂原料的純凈度要盡量高，鉻鐵礦成分的規(guī)定為：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。氮化硅融合碳化硅磚就是指用SiC和Si為原料，經(jīng)滲氮燒制的防火產(chǎn)品。其特性是以Si3N4為融合劑。Si3N4以纖維狀或纖維結(jié)晶體存有于SiC晶體中間，是一種關(guān)鍵的新式耐火保溫材料。反應(yīng)燒結(jié)法（RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強(qiáng)度，可以進(jìn)行各種機(jī)械加工（如車(chē)、刨、銑、鉆)。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具備優(yōu)良耐腐蝕能力，1400℃抗折強(qiáng)度達(dá)50～55MPa，顯孔隙率15%。線膨脹系數(shù)(4.5～5.0)×10-2℃-1。

氮化硅結(jié)合碳化硅磚的特點(diǎn)

氮化硅融合碳化硅磚特性是以Si3N4為融合劑。Si3N4以纖維狀或纖維結(jié)晶體存有于SiC晶體中間，是一種關(guān)鍵的新式耐火材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具備優(yōu)良耐腐蝕工作能力，1400℃抗折強(qiáng)度達(dá)50～55MPa，顯孔隙率15%。熱膨脹系數(shù)(4.5～5.0)×10-2℃-1。氮化硅結(jié)構(gòu)陶瓷具備耐熱性高。因?yàn)榈枋擎I強(qiáng)高的共價(jià)化合物，并在氣體里能產(chǎn)生金屬氧化物防護(hù)膜，因此還具備優(yōu)良的有機(jī)化學(xué)可靠性。氮化硅融合碳化硅制品：氮化硅融合碳化硅原材料是一種耐火材料，關(guān)鍵商品有氮化硅融合碳化硅輻射管、氮化硅融合碳化硅磚等。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結(jié)構(gòu)，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。1、氮化硅融合碳化硅制品，材質(zhì)硬實(shí)，硬度約為9，在非金屬材質(zhì)中歸屬于強(qiáng)度原材料，僅次金鋼石。2、氮化硅融合碳化硅制品的常溫下抗壓強(qiáng)度高，在1200-1400℃高溫下，基本上維持與常溫下同樣時(shí)間的抗壓強(qiáng)度和強(qiáng)度。3、熱膨脹系數(shù)小，對(duì)比碳化硅等產(chǎn)品導(dǎo)熱系數(shù)高，不容易造成焊接應(yīng)力，具備優(yōu)良熱震可靠性，使用期長(zhǎng)。4、商品廣泛運(yùn)用于鋼材、稀有金屬、化工廠裝飾建材等多種多樣制造行業(yè)。

耐火材料一般分為兩種,即不定型

耐火材料一般分為兩種，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫澆注料，是由多種骨料或集料和一種或多種粘和劑組成的混合粉狀顆料，使用時(shí)需要和一種或多種液體配合攪拌均勻，具有較強(qiáng)的流動(dòng)性。定型耐火材料一般指耐火磚，其形狀有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)則，也可以根據(jù)需要筑切時(shí)臨時(shí)加工。反應(yīng)燒結(jié)法（ RS)是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強(qiáng)度，可以進(jìn)行各種機(jī)械加工（如車(chē)、刨、銑、鉆).。然后，在硅熔點(diǎn)的溫度以上；將生坯再一次進(jìn)行完全氮化燒結(jié)，得到尺寸變化很小的產(chǎn)品（即生坯燒結(jié)后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。常壓燒結(jié)法（ PLS)在提高燒結(jié)氮?dú)夥諌毫Ψ矫妫肧i3N4 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開(kāi)始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進(jìn)壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進(jìn)Si3N4 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強(qiáng)度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。氣壓燒結(jié)法（ GPS)近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究，獲得了很大的進(jìn)展。Si3N4陶瓷材料作為一種優(yōu)異的高溫工程材料，能發(fā)揮優(yōu)勢(shì)的是其在高溫領(lǐng)域中的應(yīng)用。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮嚎刂屏说璧母邷胤纸狻Ｓ捎诓捎酶邷責(zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si3N4晶粒生長(zhǎng)，而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷。