編輯：DD

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案

在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢(shì)壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構(gòu)成。

ASEMI專業(yè)生產(chǎn)肖特基二極管12年，產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)齊全，歡迎詳詢

要問肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的差別，以及為什么采購生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應(yīng)用當(dāng)中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到5ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。

關(guān)于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號(hào)識(shí)別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號(hào)前面四個(gè)字母B,代表TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號(hào)后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251