離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國(guó)內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺(tái)可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)，如圖1所示。評(píng)價(jià)溝槽輪廓主要的參數(shù)有溝槽的開口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺(tái)面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評(píng)價(jià)參數(shù)。

離子束是指以近似一致的速度沿幾乎同一方向運(yùn)動(dòng)的一群離子。離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得較多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來。這類離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)的質(zhì)量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質(zhì)譜儀器中。

離子源的主要參數(shù)有：①離子束流強(qiáng)。即能夠獲得的有用離子束的等效電流強(qiáng)度，用電流單位A或mA表示。②有用離子百分比。即有用離子束占總離子束的百分比。一般來說，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質(zhì)元素離子等的離子束。③能散度。由于離子的熱運(yùn)動(dòng)和引出地點(diǎn)的不同，使得離子源給出的離子束的能量對(duì)要求的單一能量有一定離散，一般希望能散度盡量小，在的離子束應(yīng)用中尤其是這樣。④束的聚焦性能。以離子束的截面和張角表示。聚焦不好的離子束在傳輸過程中會(huì)使離子大量丟失。獲得良好聚焦特性的離子束的終障礙是束中離子之間的靜電排斥力，為了克服這一障礙，應(yīng)盡早使離子獲得較高能量。⑤離子源的效率。以離子束形式引出的工作物質(zhì)占總消耗的工作物質(zhì)的比例。⑥工作壽命。離子源一次安裝以后使用的時(shí)間。