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發(fā)布時間:2020-10-13 20:19  









什么是蝕刻標牌?

蝕刻標牌也叫腐蝕金屬標牌。主要查采用掩膜、蝕刻后處理三步進行加工制做而成的凸字金屬標牌或凹字金屬標牌。

標識:可定義為在不同的時間和空間環(huán)境里,采取立、掛、吊、粘等安裝方式,有一定制作標準的質(zhì)地多樣的,通過文字圖形表達方位功能或信息功能的識別裝置。六、酸/堿體積比的檢驗方法:開機運行到設定溫度后(約15~20分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規(guī)定范圍內(nèi)方可進行生產(chǎn)。標識蝕刻主要以標示牌為主,表現(xiàn)形式也是各不相同,有的由于用于指示向?qū)?,有的用于交通指示,今天就和小編一起來看看標識蝕刻的世界吧。

蝕刻法,即通過光化學反應和蝕刻來加工金屬零件的一種工藝。5鍍前除油(加溫至60℃)泡浸5-10秒除油,烘干后要放在常溫除油劑中然后清洗檢查無印處是否全部親水。該工藝充分利用當前先進的計算機輔助設計技術,將需要加工的圖形制成菲林,然后將菲林圖形通過光化學反應到金屬材料表面,在金屬材料表面形成被保護起來的金屬零件圖形,再通過蝕刻的方法,把未保護的金屬材料蝕掉就產(chǎn)生出了金屬零件。

蝕刻法與傳統(tǒng)的機械沖制方法相比,具有生產(chǎn)周期短(一般3天可以制造出產(chǎn)品),修改尺寸方便快捷的優(yōu)點。而機械沖制方法必須具備的沖制設備和模具加工設備,開發(fā)周期要2至3個月。

由于蝕刻法的特殊性,零件的復雜程度與加工難易程度無關。蝕刻工藝對設備狀態(tài)的依賴性極大,故必需時刻使設備保持在良好的狀態(tài)。相對而言,機械沖制方法對復雜的零件處理起來往往會增加制造難度,有的甚至無法加工。蝕刻法制造僅需設計制作菲林(感光膠等),新品開發(fā)費用少;蝕刻法制造的金屬零件刺,不改變材料的磁特性,加工后的產(chǎn)品平整度不受絲毫改變。



標牌蝕刻機有哪些?

一化學蝕刻機

1、如今市場上所見到的自動型化學蝕刻機是通過高壓噴淋及被蝕刻板直線運動形成連續(xù)不間斷進料狀態(tài)進行對工件腐蝕以提高生產(chǎn)效率;

2、加大了噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度,無論在蝕刻效果、速度和改善操作者的環(huán)境及方便程度,都優(yōu)于潑濺式蝕刻;

3、經(jīng)反復實驗噴射壓力在1-2Kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉,使蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高,由于該蝕刻機液體可循環(huán)再生使用,此項可大大降低蝕刻成本,也可達到環(huán)保加工要求。

二電解蝕刻機

電蝕刻是利用金屬在以自來水或鹽水為蝕刻主體的液體中發(fā)生陽極溶解的原理,(電解的作用下)將金屬進行蝕刻,接通蝕刻電源,從而達到蝕刻的目的。市售的電解蝕刻機都是手動噴淋式的,并且都是以鹽水為蝕刻溶液,功率有大小二種。

優(yōu)點:無污染,但只有蝕刻一個步驟無污染是不行的,其他工序也必須無污染,適合實驗生產(chǎn)、凹字小面積蝕刻。主要用做研究實驗機,或者簡單的在金屬上蝕刻標記,也稱為電打標。

缺點:蝕刻面不均勻,大面積腐蝕速度慢,不能用于量產(chǎn),也不能做凸字大面積蝕刻,不能用做標牌的大批量生產(chǎn)加工。1000瓦燈管5--8分鐘,或者2000瓦燈管3---4分鐘↓顯影。由于電解蝕刻是在金屬導電的情況下形成蝕刻的,那么我們的產(chǎn)品在蝕刻下去有任何的深度時側(cè)面也將被蝕刻的,這樣很多精細圖案,精細文字將被蝕刻”爛“掉。



因 為突沿容易撕裂下來﹐在導線的兩點之間形成電的拆接。 影響側(cè)蝕的因素有很多﹐下面將概述幾點﹕ 蝕刻方式﹕ 浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側(cè)蝕﹐潑濺和噴淋式蝕刻的側(cè)蝕較小﹐尤以噴淋蝕 刻的效果很好。將三氯化鐵溶液倒在細長的量杯中,刺進波美計,挨著液面的數(shù)值就是它的波美濃度。 蝕刻液的種類﹕ 不同的蝕刻液, 其化學組分不相同﹐蝕刻速率就不一樣﹐蝕刻系數(shù)也不一樣。 例如﹕酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為 3﹐而堿性氯化銅蝕刻系數(shù)可達到 4。 蝕刻速率﹕ 蝕刻速率慢會造成嚴重側(cè)蝕。 提高蝕刻質(zhì)量與加快蝕刻速率有很大的關系, 蝕刻速 度越快, 基板在蝕刻中停留的時間越短﹐側(cè)蝕量將越小﹐蝕刻出的圖形會更清晰整 齊。


光刻和蝕刻技術,用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造,由薄膜沉積,光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜,薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米,稱為薄膜 沉積。提高基板與基板之間蝕刻速率的一致性在連續(xù)的板蝕刻中﹐蝕刻速率的一致性越高﹐越能獲得蝕刻均勻的板。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠,將掩膜上微流控芯片設計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑(有正負之分)和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射(如紫外光)時,在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。


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