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脈沖激光沉積介紹
脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕(pulsed laser ablation,PLA),是一種利用激光對物體進行轟擊,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。
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脈沖激光沉積的應(yīng)用領(lǐng)域
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積,以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。
脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。
應(yīng)用領(lǐng)域:
單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3)
壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3)
鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4)
熱電薄膜(SrTiO3)
金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3)
半導(dǎo)體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3)
高K介質(zhì)薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5)
超導(dǎo)薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)
光波導(dǎo),光學(xué)薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2)
超疏水薄膜(PTFE)
紅外探測薄膜(V2O5,PZT)
脈沖激光沉積選件介紹
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的術(shù)語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用,用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。
正確的設(shè)計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因為在某些特殊情況下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,
維持RHEED 槍的工作壓力,同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時,設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。
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