磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實(shí)驗(yàn)探索。實(shí)驗(yàn)是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設(shè)備上進(jìn)行的。由于鍍膜室為立式容器，所以它具有臥式鍍膜機(jī)的一切優(yōu)點(diǎn)，又利于自重較大的、易碎的鍍件裝卡，更可方便地實(shí)現(xiàn)自動生產(chǎn)線，是替代傳統(tǒng)濕法水電鍍的更為理想的新一代真空鍍膜設(shè)備。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴(kuò)散泵機(jī)組,靶材采用德國Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。

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（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）； （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。目前沒有見到對磁控濺射靶材利用率專門或系統(tǒng)研究的報(bào)道，而從理論上對磁控濺射靶材利用率近似計(jì)算的探討具有實(shí)際意義。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來說，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對比情況。

淺析磁控濺射鍍膜儀鍍膜優(yōu)勢

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我們知道每一種鍍膜方式的不同都有不一樣的差異，這處理根據(jù)鍍膜的方式不同之外，還跟所鍍的材料有關(guān)系，這種差別我們很難看出來，因?yàn)楦鶕?jù)目前的鍍膜行業(yè)中的一些gao端設(shè)備，比如說磁控濺射鍍膜儀，都是屬于比較精細(xì)的一種鍍膜機(jī)械。

那么在現(xiàn)今的發(fā)達(dá)科技中，磁控濺射鍍膜儀鍍膜有哪些優(yōu)勢呢？下面小編來深入的分析一下：

磁控濺射鍍膜設(shè)備所鍍的膜穩(wěn)定性好，這是因?yàn)槠淠げ粌H厚，而且所生成的時(shí)候非常穩(wěn)定，另外還根據(jù)濺射電流來控制。我們知道電流越大，這種設(shè)備的濺射率也就相對的變大，這也是磁控濺射鍍膜設(shè)備非常穩(wěn)定的一個(gè)因素。

另外采用磁控濺射鍍膜設(shè)備來生成膜層，不管鍍多少次膜，他所鍍出來的膜厚度基本上是一樣的，而且非常穩(wěn)定。

從上述淺析中，我們不難發(fā)現(xiàn)磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)勢，其實(shí)就是在于穩(wěn)定，這也是目前一些精細(xì)產(chǎn)品鍍膜選擇這種設(shè)備的原因。

直流濺射法

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。