感應耦合等離子體刻蝕的原理

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感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

感應耦合等離子體刻蝕機的結構三

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供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）精準的控制氣體的流速和流量。氣體供應系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

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等離子刻蝕工藝

高密度等離子體源在刻蝕工藝上具有許多優(yōu)勢，例如，可以更準確地控制工作尺寸，刻蝕速率更高，更好的材料選擇性。高密度等離子體源可以在低壓下工作，從而減弱鞘層振蕩現(xiàn)象。使用高密度等離子體源刻蝕晶片時，為了使能量和離子通量彼此獨立，需要采用獨立射頻源對晶圓施加偏壓。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級，在離子進入負鞘層后，其能量經(jīng)加速將達到上百電子伏特，并具有高度指向性，從而賦予離子刻蝕的各向異性。

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