磁控濺射鍍膜機

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ITO 薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn 合金靶、In2O3-SnO2 陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO 薄膜時,由于濺射過程中作為反應氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學反應,靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶zhong毒”) ,以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出的ITO 膜。如果轟擊離子的能量不足，則只能使靶材表面的原子發(fā)生振動而不產(chǎn)生濺射。也就是說,采用合金靶磁控濺射時,工藝參數(shù)的窗口很窄且極不穩(wěn)定。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應物按所需的化學配比穩(wěn)定地成膜,故無zhong毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數(shù)的影響,不同工藝制備出的ITO 薄膜的光電性能相差甚遠。因此,開展ITO陶瓷靶磁控濺射工藝參數(shù)的優(yōu)化研究很有意義。

磁控濺射鍍膜機技術原理

真空磁控濺射鍍膜技術是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的，鍍膜機內由不同級別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內，使其到達陽極前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質量等基礎因素，這一系列因素會對鍍膜產(chǎn)品的終質量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。

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真空鍍膜機的未來發(fā)展策略

創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)、銷售真空鍍膜機，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1、目前實體經(jīng)濟走勢整體疲弱，復蘇充滿不確定性，經(jīng)濟處于繼續(xù)探底過程，真空鍍膜設備制造企業(yè)應著力進行產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級，重質量、重服務明確市場定位，大力研發(fā)擁有自主知識產(chǎn)權的新產(chǎn)品新工藝，提高產(chǎn)品質量和服務水平。

2、依托信息化發(fā)展趨勢，堅持“以信息化帶動工業(yè)化，以工業(yè)化促進信息化”，走出一條科技含量高、經(jīng)濟效益好、資源消耗低、環(huán)境污染少、人力資源優(yōu)勢得到充分發(fā)揮的新型工業(yè)化路子。

3、依托政府支持，大力加強與擁有行業(yè)先進技術和工藝水平的科研院所、大型企業(yè)、高校合作，使得新品能迅速推向市場。

真空鍍膜技術及設備擁有十分廣闊的應用領域和發(fā)展前景。未來真空鍍膜設備行業(yè)等制造業(yè)將以信息化融合為重1心，依靠技術進步，更加注重技術能力積累，制造偏向服務型，向世界真空鍍膜設備行業(yè)等制造業(yè)價值鏈高1端挺進。