拋光時，高速旋轉(zhuǎn)的拋光輪（圓周速度在20米/秒以上）壓向工件，使磨料對工件表面產(chǎn)生滾壓和微量切削，從而獲得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可達(dá)Ra0.63～0.01微米;當(dāng)采用非油脂性的消光拋光劑時，可對光亮表面消光以改善外觀。 大批量生產(chǎn)軸承鋼球時，常采用滾筒拋光的方法。粗拋時將大量鋼球、石灰和磨料放在傾斜的罐狀滾筒中，滾筒轉(zhuǎn)動時，使鋼球與磨料等在筒內(nèi)隨機(jī)地滾動碰撞以達(dá)到去除表面凸鋒而減小表面粗糙度的目的，可去除0.01毫米左右的余量。

隨著環(huán)保意識及法規(guī)的加強(qiáng)，目前越來越多的工廠選擇兩酸拋光工藝。但是兩酸在3C產(chǎn)品生產(chǎn)過程中存在以下問題：1.當(dāng)拋光液中鋁離子濃度超過16g/L時，拋光帶有通孔或盲孔的噴砂工件時會產(chǎn)生拋痕，尤其當(dāng)噴砂工件為Al5252材質(zhì)的鋁合金時拋痕更為明顯。2.對經(jīng)T處理的鋁塑復(fù)合件拋光時鋁塑交界處易出現(xiàn)不均勻，塑料件易發(fā)黃。3.鋁合金工件在自動拋光線上拋光時在工件轉(zhuǎn)移過程中所需時間通常在18秒以上，鋁型材化拋生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移所花的時間更長通常在30秒以上，在轉(zhuǎn)移過程中由于拋光液的滴趟會在表面形成不規(guī)則的流痕，影響外觀效果。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

基本原理：

金屬試樣表面各組成相的電化學(xué)電位不同，形成了許多微電勢，在化學(xué)溶液中會產(chǎn)生不均勻溶解。在溶解過程中試樣面表層會產(chǎn)生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴(kuò)展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達(dá)到十分理想的要求。在低和中等放大倍數(shù)下利用顯微鏡觀察時，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內(nèi)，仍能觀察到十分清晰的組織