晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN晶體如需減小驅(qū)動功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅(qū)動功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會增加，實際驅(qū)動功率將會減小。而負(fù)載電容減小，實際振蕩頻率將會增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會對晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率。或者使用裝有單個 C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。

晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

工作溫度范圍：能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。

頻率溫度穩(wěn)定度：在標(biāo)稱電源和負(fù)載下，工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。

ft=±(fmax-fmin)/(fmax fmin)

ftref=±MAX[|(fmax-fref)/fref|，|(fmin-fref)/fref|]

ft：頻率溫度穩(wěn)定度(不帶隱含基準(zhǔn)度)

ftref：頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫)

fmax ：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的高頻率

fmin：規(guī)定溫度范圍內(nèi)測得的低頻率

fref：規(guī)定基準(zhǔn)溫度測得的頻率

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