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尺寸漲縮原因分析
膠片在光繪前沒有經(jīng)過預置
由于膠片制造時無法預先控制膠片中的濕度與每個生產(chǎn)車間的濕度一致,因此使用之前應先使其與工作環(huán)境達到平衡的狀況。建議預置時間為12小時,預置時必須打開膠片的內(nèi)包裝,使其與外界的空氣充分接觸。
光刻(英語:photolithography)是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。在制版中影響印版質(zhì)量的因素,主要有顯影液濃度、顯影溫度和顯影時間以及顯影液的循環(huán)攪拌情況、顯影液的疲勞程度等。
光刻機的結(jié)構(gòu)和工作原理:
光刻機的光源有:激光,紫外光、深紫外光、極紫外光。現(xiàn)在先進技術是極紫外光。
下圖是以激光為光源的光刻機簡易工作原理圖:
在制造芯片時,首先在晶圓(硅晶片)表面涂光感膠,再用光線透過掩模版(相當于芯片電路圖紙的底片)照射硅片表面,被光線照射到的光感膠會發(fā)生反應。此后用特定溶劑洗去被照射或者未被照射的膠,電路圖就印到硅片上。
此過程相當于木匠施工用墨斗放樣、劃線。
硅片上有了電路圖的圖樣后,就輪到刻蝕機登場,刻蝕機相當于木匠的鋸子、斧頭、鑿子、刨子??涛g機按圖施工,在硅片表面雕刻出晶體管和電路。