近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國(guó)內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭(zhēng)了，而且我們不怕競(jìng)爭(zhēng)，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。4)濕度：20%RH至90%RH(無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度:40℃以下)。

如何檢測(cè)元件有老化的現(xiàn)象？ 半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測(cè)的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。對(duì)元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過(guò)其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。

技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象

*1）功能

GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

*2）測(cè)試對(duì)象

被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)

測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。

3.1開(kāi)通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開(kāi)通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開(kāi)通時(shí)間定義（見(jiàn)下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開(kāi)通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr