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磁控濺射介紹
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由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。
濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。系統(tǒng)組成:主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺系統(tǒng)、真空抽氣及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。
磁控濺射鍍膜機的工作原理是什么?
磁控濺射原理:電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發(fā)生碰撞,電離出大量的離子和電子,電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材,經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。一般磁控濺射選的是耐溫120度或者150度的即便如此溫度也不宜太高通常冷卻水溫度不宜高過40度,這樣就不會出現(xiàn)磁鐵損壞、導致涂層不均勻、電壓升高、沉積速率降低等問題。電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用( E X B drift)使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向,電壓電流大小而已
沈陽鵬程真空技術有限責任公司本著多年磁控濺射產(chǎn)品行業(yè)經(jīng)驗,專注磁控濺射產(chǎn)品研發(fā)定制與生產(chǎn),先進的磁控濺射產(chǎn)品生產(chǎn)設備和技術,建立了嚴格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系,想要更多的了解,歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?!