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激光脈沖沉積設(shè)備公司高性價(jià)比的選擇

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發(fā)布時(shí)間:2020-10-31 05:04  






PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容,沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)脈沖激光沉積,歡迎新老客戶蒞臨。

技術(shù)指標(biāo):

極限真空度:≤6.7×10 Pa  

恢復(fù)真空時(shí)間:從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min  

系統(tǒng)漏率:6. 7×10-7Pa.L/S;  

真空室:Ф450球型真空室 ,  

基片尺寸:可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)?! ?

二維掃描機(jī)械平臺(tái),執(zhí)行兩自由度掃描,控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃,

質(zhì)量流量控制器1路  

烘烤溫度:150℃數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫(高溫爐盤,數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫可加熱到800℃)



脈沖激光沉積機(jī)制

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PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡單,相反,它的原理卻是非常復(fù)雜的物理現(xiàn)象。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí),靶表面的一切元素會(huì)快速受熱,到達(dá)蒸發(fā)溫度。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時(shí),激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及膜的生成過程。所以,PLD一般可以分為以下四個(gè)階段:

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質(zhì)的動(dòng)態(tài)

3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)與生成。



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