化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對(duì)晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?；瘜W(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個(gè)別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。

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化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀(jì)80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時(shí)化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進(jìn)行沉積。銥的沉積速度很快，可以達(dá)到3~20μm/h。 沉積厚度也達(dá)到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達(dá) 70%以上。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達(dá)10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時(shí)整個(gè)反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點(diǎn)使得原來需要在高溫下進(jìn)行的CVD過程得以在低溫下進(jìn)行。公司生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積,公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營理念。

ICP刻蝕機(jī)的測(cè)量與控制

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機(jī)，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測(cè)量，因此業(yè)界常用的測(cè)量方法有：

虛擬測(cè)量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過程控制示意圖

光譜測(cè)量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測(cè)

遠(yuǎn)程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預(yù)測(cè)控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制