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純?nèi)芤菏怯伤旨捌湫×克廪D(zhuǎn)化成的H和OH構(gòu)成,氣泡在水中產(chǎn)生的汽液界面具備容易接受H和OH的特性,并且一般正離子比陽離子更非常容易離去汽液界面,而使界面常含有負(fù)電荷。早已攜帶電荷的表面一般趨向于吸咐物質(zhì)中的反離子,尤其是位的反離子,進(jìn)而產(chǎn)生平穩(wěn)的雙電層。微納米技術(shù)氣泡的表面電荷造成的電位差常運(yùn)用ζ電位來表現(xiàn),ζ電位是決策氣泡界面吸咐特性的關(guān)鍵要素。當(dāng)微納米技術(shù)氣泡在水中收攏時(shí),電荷正離子在十分窄小的氣泡界面上獲得了迅速溶縮聚集,主要表現(xiàn)為ζ電位的明顯提升,到微納米技術(shù)氣泡裂開前在界面處可產(chǎn)生十分高的ζ電位值。
氣體溶解率高
微納米技術(shù)氣泡具有上升速率較慢、自身提升溶解的特點(diǎn),促進(jìn)微納米技術(shù)氣泡在緩慢的上升整個(gè)過程中慢慢縮小成納米,減少淹沒融進(jìn)水中,從而能夠進(jìn)一步提高氣體(氣體、co2、氧自由基、二氧化碳等)在水中的溶解度。對于一般氣泡,氣體的溶解度一般受環(huán)境壓力的傷害和限制存在飽和狀態(tài)溶解度。在標(biāo)準(zhǔn)地理環(huán)境下,氣體的溶解度無法保證飽和狀態(tài)溶解度以上。而微納米技術(shù)氣泡由于其內(nèi)部的壓力高過環(huán)境壓力,促進(jìn)以大氣壓強(qiáng)為假定規(guī)范計(jì)算的氣體飽合溶解規(guī)范獲得解決。