高溫微型壓力傳感器基本組成及制作工藝

高溫微型壓力傳感器基本組成及制作工藝 硅電容式壓力傳感器的敏感元件是半導體薄膜,它可以由單晶硅、多晶硅等利用半導體工藝制作而成。典型的電容式傳感器由上下電極、絕緣體和襯底構(gòu)成。當薄膜受壓力作用時,薄膜會發(fā)生一定的變形,因此,上下電極之間的距離發(fā)生一定的變化,從而使電容發(fā)生變化。但電容式壓力傳感器的電容與上下電極之間的距離的關(guān)系是非線性關(guān)系,因此,要用具有補償功能的測量電路對輸出電容進行非線性補償。由于高溫壓力傳感器工作在高溫環(huán)境下,補償電路會受到環(huán)境溫度的影響,從而產(chǎn)生較大的誤差?；谀Ｐ妥R別的高溫壓力傳感器,正是為了避免補償電路在高溫環(huán)境下工作產(chǎn)生較大誤差而設計的,其設計方案是把傳感器件與放大電路分離,通過模型識別來得到所測環(huán)境的壓力。高溫工作區(qū)溫度可達350℃。傳感器件由鉑電阻和電容式壓力傳感器構(gòu)成。 高溫壓力傳感器由硅膜片、襯底、下電極和絕緣層構(gòu)成。其中下電極位于厚支撐的襯底上。電極上蒸鍍一層絕緣層。硅膜片則是利用各向異性腐蝕技術(shù),在一片硅片上從正反面腐蝕形成的。上下電極的間隙由硅片的腐蝕深度決定。 硅膜片和襯底利用鍵合技術(shù)鍵合在一起,形成具有一定穩(wěn)定性的硅膜片電容壓力傳感器[2]。由于鉑電阻耐高溫,且對溫度敏感,選用鉑電阻,既可以當普通電阻使用,又可以作為溫度傳感器用以探測被測環(huán)境的溫度。金屬鉑電阻和硅膜片的參數(shù)為:0℃時鉑電阻值為1000Ω;電阻率為1.0526316×10-5Ω?cm;密度為21440kg/m3;比熱為132.51J/(kg?K)、熔斷溫度為1769℃,故鉑電阻可加工為寬度為0.02mm;厚度為0.2μm;總長度為3800μm,制作成鋸齒狀,可在幅值為 10V的階躍信號下正常工作。電容式壓力傳感器的上下電極的間隙為3μm、圓形平板電容上下電極的半徑為73μm、其電容值為50pF。

潛水設備需要用到哪些壓力傳感器?

潛水設備需要用到哪些壓力傳感器？ 眾所周知，各種潛水設備的技術(shù)發(fā)展中對探測技術(shù)的要求越來越高。而隨著節(jié)能減排和智能網(wǎng)聯(lián)的火熱發(fā)展，更是進一步助推各種智能設備將作為傳感器載體的勢頭。但由于潛水器的體積和載荷的限制，綜合導航顯示控制系統(tǒng)使用的傳感器必須體積小、重量輕、耐高壓，并且在功能上要能快速、準確地獲得潛水器的航行參數(shù)。為了提高潛水器的深潛能力，潛水器都配備有綜合導航顯示控制系統(tǒng)，確保潛水器能夠的潛航，順利完成各種水底作業(yè)任務。在測量海水的溫度、壓力、深度、密度等狀態(tài)參數(shù)方面，硅壓阻式壓力傳感器能將上述海水的四種狀態(tài)參數(shù)測量于一體，而且在精度、體積、重量上都能很好地滿足系統(tǒng)設計的要求，是一種非常適合用于潛水器上的傳感器。

壓力傳感器應用于液壓系統(tǒng)

壓力傳感器應用于液壓系統(tǒng) 壓力傳感器在液壓系統(tǒng)中主要是來完成力的閉環(huán)控制。當控制閥芯突然移動時，在極短的時間內(nèi)會形成幾倍于系統(tǒng)工作壓力的尖峰壓力。 ??需要使用抗沖擊的壓力傳感器，壓力傳感器實現(xiàn)抗沖擊主要有2種方法，一種是換應變式芯片，另一種方法是外接盤管，一般在液壓系統(tǒng)中采用種方法，主要是因為安裝方便。此外還有一個原因是壓力傳感器還要承受來自液壓泵不間斷的壓力脈動。 ??在典型的行走機械和工業(yè)液壓中，如果設計時沒有考慮到這樣的極端工況，任何壓力傳感器很快就會被破壞。

散熱器散熱與壓力高精度壓力傳感器的區(qū)別

如果測量環(huán)境溫度在70到80℃，則只需要在壓力高精度壓力傳感器或者壓力表與取壓連接處加一個散熱器，這樣可以讓溫度適當降低一點，讓介質(zhì)通過散熱器散熱后與儀表直接接觸，如果測量介質(zhì)溫度超過100℃，到達200℃的時候，我們就需要在取壓口安裝冷凝圈后再加散熱器，這樣介質(zhì)通過冷凝圈冷卻后，再通過散熱器散熱與壓力高精度壓力傳感器直接接觸時溫度就很低了。在測量溫度超高的場合使用，可以將導壓管延長后接壓力高精度壓力傳感器，也可以加毛細管后安裝散熱器來達到介質(zhì)冷卻的效果。