磁控濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)的特點(diǎn)

(1)離子轟擊滲擴(kuò)更快因?yàn)檫x用低溫等離子無(wú)心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結(jié)晶中缺點(diǎn)的相對(duì)密度，比傳統(tǒng)式的汽體滲擴(kuò)技術(shù)性速率明顯增強(qiáng)。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下，滲層深度1在0.05二以內(nèi)，比汽體滲擴(kuò)提升1倍。在較高溫度下，1h就能達(dá)lmm厚。創(chuàng)世威納擁有先進(jìn)的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽(yù)高，我們竭誠(chéng)歡迎廣大的顧客來(lái)公司洽談業(yè)務(wù)。

(2)對(duì)鋼件表層改性材料成效顯著，工藝性能高，真空泵加溫易清除高溫冶煉廠時(shí)融解的汽體，并可根據(jù)滲人金屬材料更改PCB的機(jī)構(gòu)和構(gòu)造，使耐磨性能、耐蝕性、強(qiáng)度和斷裂韌性等眾多特性獲得改進(jìn)。而且因?yàn)榍謇砉πВ菇饘俨牧洗植诙葴p少，除去不銹鋼鈍化的殘?jiān)蛷U棄物，改進(jìn)了金屬材料的工藝性能。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。 

(3)加工工藝適應(yīng)能力強(qiáng)，有利于解決方式繁雜的鋼件。但高頻磁控濺射電源昂貴，濺射速率很小，同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜，因而難大規(guī)模采用。傳統(tǒng)式的正離子注人技術(shù)性的致命性缺點(diǎn)是注人全過(guò)程是1個(gè)視野全過(guò)程，只能曝露在正離子搶口下的鋼件表層能夠被注人，針對(duì)鋼件中必須表層改性材料的內(nèi)表層或管溝表層等，離子束則很難達(dá)到，而且一回只有注一人鋼件，注人率低，機(jī)器設(shè)備繁雜價(jià)格昂貴

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磁控濺射法定義是什么？

磁控濺射法是在高真空充入適量的Ar，在陰極（柱狀靶或平面靶）和陽(yáng)極（鍍膜室壁） 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使Ar發(fā)生電離。Ar離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來(lái)沉積在基底表面上形成薄膜。

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磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

（1）技術(shù)方案 磁控濺射鍍光學(xué)膜，有以下三種技術(shù)路線： （a）陶瓷靶濺射：靶材采用金屬化合物靶材，可以直接沉積各種氧化物或者氮化物，有時(shí)候?yàn)榱说玫礁叩哪蛹兌?，也需要通入一定量反?yīng)氣體）；靶zhong毒的影響因素影響靶zhong毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過(guò)量就會(huì)導(dǎo)致靶zhong毒。 （b）反應(yīng)濺射：靶材采用金屬或非金屬靶，通入稀有和反應(yīng)氣體的混合氣體，進(jìn)行濺射沉積各種化合物膜層。 （c）離子輔助沉積：先沉積一層很薄的金屬或非金屬層，然后再引入反應(yīng)氣體離子源，將膜層進(jìn)行氧化或者氮化等。 采用以上三種技術(shù)方案，在濺射沉積光學(xué)膜時(shí)，都會(huì)存在靶zhong毒現(xiàn)象，從而導(dǎo)致膜層沉積速度非常慢，對(duì)于上節(jié)介紹各種光學(xué)膜來(lái)說(shuō)，膜層厚度較厚，膜層總厚度可達(dá)數(shù)百納米。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。

（2）新型反應(yīng)濺射技術(shù) 筆者對(duì)現(xiàn)有反應(yīng)濺射技術(shù)方案進(jìn)行了改進(jìn)，開(kāi)發(fā)出新的反應(yīng)濺射技術(shù)，解決了鍍膜沉積速度問(wèn)題，同時(shí)膜層的純度達(dá)到光學(xué)級(jí)別要求。表2.1是采用新型反應(yīng)濺射沉積技術(shù)，膜層沉積速度對(duì)比情況。

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磁控濺射中靶zhong毒是怎么回事,一般的影響因素是什么？

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靶zhong毒的物理解釋

（1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V-600V之間，當(dāng)發(fā)生靶zhong毒時(shí)，濺射電壓會(huì)顯著降低。（2）金屬靶材與化合物靶材本來(lái)濺射速率就不一樣，一般情況下金屬的濺射系數(shù)要比化合物的濺射系數(shù)高，所以靶zhong毒后濺射速率低。（3）反應(yīng)濺射氣體的濺射效率本來(lái)就比惰性氣體的濺射效率低，所以反應(yīng)氣體比例增加后，綜合濺射速率降低。這種沉積速度顯然增加了鍍膜成本，從而限制了磁控濺射鍍膜在光學(xué)上的應(yīng)用。