為了保證化學(xué)拋光的效果，必須使金屬表面溶解，并在表面上形成液體膜或固體膜。因此，金屬的化學(xué)拋光液必須具有溶解金屬的能力和形成保護(hù)膜的能力。化學(xué)拋光液的基本組成一般包括腐蝕劑、氧化劑、添加劑和水。腐蝕劑是主要成分，如果零件在溶液中不溶解，拋光就不能進(jìn)行。氧化劑和添加劑可抑制腐蝕過程，使反應(yīng)朝有利于拋光的方向進(jìn)行。水對拋光液濃度起調(diào)節(jié)作用，便于反應(yīng)產(chǎn)物的擴(kuò)散。

1. 機(jī)械拋光 機(jī)械拋光是靠切削、材料表面塑性變形去掉被拋光后的凸部而得到平滑面的拋光方法，一般使用油石條、羊毛輪、砂紙等，以手工操作為主，特殊零件如回轉(zhuǎn)體表面，可使用轉(zhuǎn)臺(tái)等輔助工具，表面質(zhì)量要求高的可采用超精研拋的方法。超精研拋是采用的磨具，在含有磨料的研拋液中，緊壓在工件被加工表面上，作高速旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。利用該技術(shù)可以達(dá)到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各種拋光方法中的。光學(xué)鏡片模具常采用這種方法。

化學(xué)拋光：

可用于儀器制造、鋁型材鋁質(zhì)反光鏡的制造,以及其他零件和鍍層的裝飾性加工.同電解拋光比較,化學(xué)拋光的優(yōu)點(diǎn)是：不需外加電源,可以處理形狀更為復(fù)雜的零件,生產(chǎn)等.但是化學(xué)拋光的表面質(zhì)量,一般略低于電解拋光,溶液的調(diào)整和再生也比較困難,往往拋光過程中會(huì)析出氧化氮等有害氣體。其實(shí)這點(diǎn)現(xiàn)在的技術(shù)也已經(jīng)解決，市面上有如兩酸化學(xué)拋光高光光亮劑等拋光試劑，其不含，不會(huì)產(chǎn)生有危害的黃煙

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。