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當前,隨著半導體技術(shù)不斷縮進,先進的集成電路器件已從平面向三維結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變,集成電路制造工藝正變得越來越復雜,往往需要經(jīng)過幾百甚至上千道的工藝步驟。對于先進的半導體器件制造,每經(jīng)過一道工藝,硅片表面都會或多或少地存在顆粒污染物、金屬殘留或有機物殘留等,器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結(jié)構(gòu)的日益復雜性,使得半導體器件對顆粒污染、雜質(zhì)濃度和數(shù)量越來越敏感。對硅晶元上掩模表面的污染微粒的清洗技術(shù)提出了更高的要求,其關(guān)鍵點在于克服污染微顆粒與基材之間極大的吸附力,傳統(tǒng)的化學清洗、機械清洗、超聲清洗方法均無法滿足需求,而激光清洗可以很容易解決此類污染問題。
另外,隨著集成電路器件尺寸持續(xù)縮小,清洗工藝過程中的材料損失和表面粗糙度成為必須關(guān)注的問題,將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是基本的要求,激光清洗技術(shù)具有非接觸性、無熱效應,不會對被清洗物體產(chǎn)生表面損壞,且不會產(chǎn)生二次污染等傳統(tǒng)清洗方法所無法比擬的優(yōu)勢,是解決半導體器件污染的清洗方法。
隨著中國軌道交通的高速發(fā)展,作為軌道制造行業(yè)中的重要制造技術(shù)方法,激光加工制造技術(shù)備受矚目,對軌道制造工藝水平的提升起著極大的推動作用。面對軌道交通建設輕量化的趨勢,國源激光也將持續(xù)為其提供更精0準更有效的產(chǎn)品與解決方案。